Собственно, интересует, в основном, горизонтальная миграция - например, с 90 нм одной фабы на 90 нм другой (при похожем техпроцессе).
Какие подводные камни? Что поменяется принципиально? Что придётся пересчитывать (например SI-эффекты)?
В общем, нужны любые источники (языки - желательно английский и русский).
Заранее спасибо.
Поиск дал кое-какие результаты, вроде
http://www.muneda.com/Products_IP-Porting-Solutions, но очень мало конкретики.