|
|
  |
Партия SPF-2086 RFMD похоже брак |
|
|
|
Dec 20 2011, 08:59
|
Знающий
   
Группа: Участник
Сообщений: 773
Регистрация: 19-07-11
Из: г.Николаев, Украина
Пользователь №: 66 305

|
Цитата(serega_sh____ @ Dec 20 2011, 09:09)  Я тут похоже наткнулся на партию SPF-2086 2008г.в. у которой нехватает усиления в 1...2дБ. Поставщик малоизвестный. Копия этикетки с упаковки производителся нет. Признаки для партии: На частоте 1,9ГГц, усиление примерно 15дБ, при норме от 16 до 19.4. Немного ниже напряжение на затворе при Idq =20mA, по сравнению с прошлой партией.
Если бы у нас входного контроля небыло, то в цехе долго бы мучались, выжимая недостающие 1дБ. К кого нибудь опыт с этим транзистором есть? Может это чей то возврат?.... Или уже от старости параметры поплыли... Если у Вас этот транзистор используется как простой усилитель по схеме с общим истоком в 50-омном тракте, усиление можно не вытянуть и у нормального транзистора, если отсутствует согласование по входу и выходу. Посмотрите на его S-параметры в даташите. На частоте 2GHz коэффициент отражения по входуS11=0.385, по выходу S22=0,767. Потери мощности равны 1-Г^2. Если транзистор нагрузить по входу и по выходу на 50 ом без цепей согласования, на входе потери будут 1-0,385^2=0.85=-0.7dB; на выходе 1-0,767^2=0.411=-3.9dB. Обратите внимание на цепи согласования, если они есть, может там кроются потерянные децибелы.
Сообщение отредактировал Proffessor - Dec 20 2011, 09:09
|
|
|
|
|
Dec 20 2011, 09:53
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 578
Регистрация: 27-06-08
Из: с Урала
Пользователь №: 38 578

|
Цитата(Proffessor @ Dec 20 2011, 12:59)  Если у Вас этот транзистор используется как простой усилитель по схеме с общим истоком в 50-омном тракте, усиление можно не вытянуть и у нормального транзистора, если отсутствует согласование по входу и выходу. Посмотрите на его S-параметры в даташите. На частоте 2GHz коэффициент отражения по входуS11=0.385, по выходу S22=0,767. Потери мощности равны 1-Г^2. Если транзистор нагрузить по входу и по выходу на 50 ом без цепей согласования, на входе потери будут 1-0,385^2=0.85=-0.7dB; на выходе 1-0,767^2=0.411=-3.9dB. Обратите внимание на цепи согласования, если они есть, может там кроются потерянные децибелы. Я отловил эту партию на входном контроле. Спасибо за совет, но я тестирую на 50 Омном тракте, без цепей согласования (согласно второй строчке таблицы параметров). По описанию на этот транзистор на частоте 1,9ГГц при 50омном тракте должно быть усиление от 16 до 19.4. И все... S-параметры справочные (типовые). При производстве я не могу забраковать по S-параметрам. Я не уверен, но помоему они измеряются только на стадии ОКР при разработке транзистора. И кстати ОКР проводила SIRENZA, а сей час это RFMD. S-параметры используют только конструктора, а у меня очень важное производство.
|
|
|
|
|
Dec 20 2011, 11:03
|
Знающий
   
Группа: Участник
Сообщений: 773
Регистрация: 19-07-11
Из: г.Николаев, Украина
Пользователь №: 66 305

|
Цитата(serega_sh____ @ Dec 20 2011, 11:53)  Я отловил эту партию на входном контроле. Спасибо за совет, но я тестирую на 50 Омном тракте, без цепей согласования (согласно второй строчке таблицы параметров). По описанию на этот транзистор на частоте 1,9ГГц при 50омном тракте должно быть усиление от 16 до 19.4. И все... S-параметры справочные (типовые). При производстве я не могу забраковать по S-параметрам. Я не уверен, но помоему они измеряются только на стадии ОКР при разработке транзистора. И кстати ОКР проводила SIRENZA, а сей час это RFMD. S-параметры используют только конструктора, а у меня очень важное производство.  S-параметры обязан использовать и разработчик усилителя, особенно если это усилитель на полевике, иначе он не получит заявленных в даташите коэффициентов усиления и шума. 16...19,4dB - это есть insertion gain (без согласования), но оно может иметь разбросы. На производстве нет необходимости отбраковывать по S-параметрам, просто их разброс надо учитывать элементами подстройки в реальном изделии. Попробуйте протестировать в серийном изделии, возможно, усиление там будет в норме, если там есть цепи согласования.
Сообщение отредактировал Proffessor - Dec 20 2011, 11:37
|
|
|
|
|
Dec 20 2011, 11:36
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 578
Регистрация: 27-06-08
Из: с Урала
Пользователь №: 38 578

|
Цитата(ledum @ Dec 20 2011, 14:33)  Описания разные бывают. У меня, например, такое. И кроме этого графика и таблички S-параметров там больше ничего нет. Так что 14дБ вполне нормально может быть. Считать надо. Правильно proffessor говорит. Datasheet не ТУ. "Sirenza Microdevices assumes no responsibility for the use of this information, and all such information shall be entirely at the user’s own risk." Я, кстати, еще Стэнфорд застал. До Сиренцы. Спасибо 'ledum'. Точно!!!! Вы правы. Это микросхемы Стэнфорд очень очень старые, и параметры там как раз на 1...2дБ меньше... А ведь должны быть RFMD. А как узнать когда прекращен выпуск у станфорд и переведен на сирензу а потом на рфмд. И по литерам на описания. Я на сайте RFMD не нашел, литеры документов на этот транзистор. Там только есть последний, в котором не рекомендуется его применять в новых разработках.
|
|
|
|
|
Dec 21 2011, 04:38
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 578
Регистрация: 27-06-08
Из: с Урала
Пользователь №: 38 578

|
Цитата(ledum @ Dec 20 2011, 15:56)  http://www.procureinc.com/showParts.php/688 - первый абзац история этой компании. А маркировка на транзисторе? Есть ли буква T после P2 у Ваших? Да есть. первый вывод точка P2T
|
|
|
|
|
  |
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|