САПР оценивающий потери переключения МОСФЕТ и ИЖБТ, Есть ли такой Опции

[Hotspear]

Господа, помогите разобраться.
Моделирую инвертирующий преобразователь, при использовании идеального ключа всё работает как надо, а при использовании IGBT получается ахинея какая то. Токи на транзисторе огромные. Смена модели транзюка результата не дала, третий день бьюсь аж злости не хватает.
Скрин схемы прилогается. Собственно задача аналогичная - анализ потерь мощности на ключе.

[falling_stone]

Предложение, возможно, не совсем релевантное,
но попробуйте добавить ESR в C1, L1 и в источник.

[wla]

Господа, помогите разобраться.
Моделирую инвертирующий преобразователь, при использовании идеального ключа всё работает как надо, а при использовании IGBT получается ахинея какая то. Токи на транзисторе огромные. Смена модели транзюка результата не дала, третий день бьюсь аж злости не хватает.
Скрин схемы прилогается. Собственно задача аналогичная - анализ потерь мощности на ключе.

Управление затвором относительно чего идет?

Сообщение отредактировал wla - Dec 27 2012, 02:27

[novchok]

Вы управляете затвором с фронтами в 1нс, при такой крутизне фронтов и 10 омном резисторе не удивительно что на реальной модели емкости IGBT создают неслабые потери. Это ж какой ток должен быть чтоб зарядить от 0 до 20 вольт за 1 нс. Дайте реальные фронты, при ширине импульса 570us фронты в реальном устройстве наверное 5..10us. Думаю токи резко снизятся.

Сообщение отредактировал novchok - Dec 28 2012, 19:11