|
|
  |
транзистор с обратносмещенным переходом база-эммитер, в серийном устройстве |
|
|
|
Jul 18 2015, 19:03
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 495
Регистрация: 6-05-09
Пользователь №: 48 727

|
Цитата(rx3apf @ Jul 18 2015, 23:56)  В случае светодиодного табло я бы тоже скорее предположил деградацию компаунда собственно диода или общей защитной крышки табло. А я бы предположил, что на теплые светодиоды лучше осаждается сажа и пыль.
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 19:15
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 495
Регистрация: 6-05-09
Пользователь №: 48 727

|
Цитата(НЕХ @ Jul 19 2015, 01:04)  Физики хвалят лавинный режим в биполярных GaAs транзисторах - на порядок быстрее кремния ! Обычный не лавинный ключ на мощных ПТ без труда делает фронты около 1 нс. Если применить транзисторы на нитриде галлия - будет намного быстрее и напряжение импульса намного больше чем у арсенида галлия.
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 19:31
|

unexpected token
   
Группа: Свой
Сообщений: 899
Регистрация: 31-08-06
Из: Мехелен, Брюссель
Пользователь №: 19 987

|
Tuvalu, Меджикивис, спасибо большое! Почитаю на досуге. Белый дед, речь, скорее всего о GaN HEMT (high-electron mobility transistors). Цитата У нас ключ формирует 10 нс импульсы с фронтом 1 нс. Около 10 ампер кстати. биполяр в лавинном режиме или МДП-транзистор?
--------------------
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
|
|
|
|
|
Jul 19 2015, 10:42
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 122
Регистрация: 10-06-12
Из: Киев
Пользователь №: 72 254

|
Цитата Tuvalu, спасибо большое! Почитаю на досуге. Мелочи, вот та статья Дьяконова:
__________________________________________.pdf ( 1.39 мегабайт )
Кол-во скачиваний: 1372
Сообщение отредактировал Tuvalu - Jul 19 2015, 10:44
|
|
|
|
|
  |
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|