реклама на сайте
подробности
 
 Wiki Wiki  Photo Photo  Forum Forum  Reviews Reviews  Help (!) Help (!)
 
> Нелинейная модель мощного СВЧ LDMOS транзистора, Измерение/расчет зависимостей емкостей кристалла транзистора
Stefan1
сообщение Nov 5 2015, 17:10
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 414
Регистрация: 7-04-11
Из: Москва
Пользователь №: 64 187
Добрый день.
Для составления нелинейной модели мощного СВЧ LDMOS транзистора требуются ввести зависимости емкостей кристалла транзистора от рабочих напряжений.
Подскажите пожалуйста, как будет качественно выглядеть зависимость проходной емкости в зависимости от напряжения затвор-сток для данного транзистора (измерить транзистор в открытом состоянии с приемлемой точностью пока не получается)? Интересует участок в районе порогового напряжения и немного за ним. В литературе также нигде не могу найти...

Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 5 2015, 17:12
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- Stefan1   Нелинейная модель мощного СВЧ LDMOS транзистора   Nov 5 2015, 17:10
- - VitaliyZ   Цитата(Stefan1 @ Nov 5 2015, 20:10) Добры...   Nov 6 2015, 12:03
- - Stefan1   Цитата(VitaliyZ @ Nov 6 2015, 15:03) Hi, ...   Nov 6 2015, 17:10

 

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 

RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 20:19
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01348 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016