|
|
  |
Минимизация тока утечки схемы заряда ионистора |
|
|
|
Jun 28 2016, 05:05
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 264
Регистрация: 16-07-05
Из: г. Уфа
Пользователь №: 6 851

|
Здравствуйте, помогите решить проблемку.
Есть микроконтроллер с RTC и отдельной ножкой их питания, на эту ножку на случай пропажи основного питания повешен ионистор. Ионистор запитан от основного питания через диод Шоттки PMEG4010EH. Эксперименты показали, что при токе потребления RTC 2 мкА ток утечки через диод составляет около 5 мкА (и это при комнатной температуре). Соответственно, большая часть накопленной энергии тратится непродуктивно.
Думаю заменить диод на PMLL4153, у которого ток утечки ~ 0.05 мкА, но гораздо больше падение напряжения, поэтому ионистор будет недозаряжаться. Плюс ток утечки диода растет при повышении температуры (устройство рассчитано на уличную эксплуатацию).
Подскажите, пожалуйста, выход из такой патовой ситуации. ТЗ - нужно обеспечить питанием RTC микроконтроллера (2 мкА) в течении 5 суток, основное питание 3.3 В, RTC работоспособен до 1.8 В.
--------------------
|
|
|
|
|
Jun 28 2016, 06:33
|

Voltage Control Output
     
Группа: Свой
Сообщений: 4 598
Регистрация: 21-07-09
Из: Kursk
Пользователь №: 51 436

|
MOSFET надо искать без диода внутри. Бывает такая экзотика, но не в силовой электронике.
Германиевые диоды давно сняты с производства, вот они как раз были бы незаменимы в этой ситуации. Германий как полупроводник в силовой электронике забраковали по причине низкой температуры деградации.
Если питание сетевое, то реле подойдёт, может даже герконовое. Питание пропало - контакты разомкнулись. Но не совсем в курсе, есть ли 3-Вольтовые реле, далёк от этого, так что сами ищите, если подходит принцип.
--------------------
Слово - не воробей, вылетит - не пощадит
|
|
|
|
|
Jun 28 2016, 06:57
|

Voltage Control Output
     
Группа: Свой
Сообщений: 4 598
Регистрация: 21-07-09
Из: Kursk
Пользователь №: 51 436

|
Цитата(1113 @ Jun 28 2016, 09:50)  2 транзистора встречно Всё равно будет утечка. Обычный PNP БТ в ключевом режиме наверно лучше подойдёт. Но нужно искать слаботочный с максимальным коэффициентом усиления. При отключении питания вывод микроконтроллера перейдёт в 3 состояние, транзистор закроется. В таком случае утечка и падение будут минимальными. 3 варианта уже есть, есть ли 4-й?
--------------------
Слово - не воробей, вылетит - не пощадит
|
|
|
|
|
Jun 28 2016, 07:36
|
Знающий
   
Группа: Участник
Сообщений: 745
Регистрация: 28-12-06
Пользователь №: 23 960

|
Цитата(war4one @ Jun 28 2016, 08:05)  Ионистор запитан от основного питания через диод Шоттки PMEG4010EH. Эксперименты показали, что при токе потребления RTC 2 мкА ток утечки через диод составляет около 5 мкА (и это при комнатной температуре). Соответственно, большая часть накопленной энергии тратится непродуктивно. ... Подскажите, пожалуйста, выход из такой патовой ситуации. ТЗ - нужно обеспечить питанием RTC микроконтроллера (2 мкА) в течении 5 суток, основное питание 3.3 В, RTC работоспособен до 1.8 В. Вариантов 2: 1 без изменения платы: менять тип и производителя диода шоттки. например bas40 от diodes по дш при напряжении 10в имеет утечку 7на при 25С и 200на при 75С. Учтите что тот же тип от другого производителя может иметь другую утечку. 2 ставить полевик но утечка у него сопоставимая, выигрыш в падении напряжения. Например bss84 Zero Gate Voltage Drain Current = 100na при 25V и 25C. Зависимость от температуры не приведена. Тут опять же надо брать строго определенного производителя потому что утечка для одного типа может существенно отличаться. Я за вариант 1 потому что полевиком еще надо управлять.
|
|
|
|
|
Jun 28 2016, 09:10
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 264
Регистрация: 16-07-05
Из: г. Уфа
Пользователь №: 6 851

|
Цитата(_3m @ Jun 28 2016, 11:36)  1 без изменения платы: менять тип и производителя диода шоттки. например bas40 Да, спасибо; похоже, BAS40 неплохой вариант: прямое падение напряжения в конце заряда 0.35 В даже в мороз и ток утечки < 1 мкА даже в жару. Наверное, его и поставлю. Странно, что не нашел его при помощи параметрического поиска на mouser. Цитата(_3m @ Jun 28 2016, 11:36)  2 ставить полевик но утечка у него сопоставимая, выигрыш в падении напряжения. Тут, возможно, подойдет "нормальный" полевик (тот, что по "буржуински" не MOSFET, а JFET), но надо моделировать/макетировать.
--------------------
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|