|
|
  |
Прошу дать оценку 8 layer StackUp-у, Zynq, DDR3 |
|
|
|
Aug 12 2016, 13:33
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 105
Регистрация: 10-03-08
Из: Helsinki
Пользователь №: 35 763

|
Цитата(Uree @ Aug 12 2016, 19:20)  Так а что с корпусом? Ах да, пропустил. FBG484. Цитата ЗЫ Так параметры меди мощно разные на картинках от Полара и Сатурна - раз, и Сатурн не учитывает маску - два. В общем порядок величины Сатурн конечно показывает, но верить могу только Полару. Да нет же - одинаковы. Base copper weight в сатурне 0.053мм, T1 в поляре - 0.053. Или я не прав? Ну да ладно, раз поляру больше веры - я последую вашему примеру. Цитата картинка ни о чем. На верхнем слое выводятся сигналы с краю от минросхемы, а не от центра. А для вас не очевидно, что если тянуть от центра, то будет то же самое? Ну может так понятней будет (см. аттач). Если и сейчас скажите, что выйгрыша нет, то я решу, что вы издеваетесь. upd. а, я понял о чем вы. Ну, а теперь есть возможность тянуть и от центра, так что - выйгрыш есть. Ладно, закроем уже вопрос via-in-pad, поскольку вроде бы разобрались: стоимость возрастает относителньо не значительно, проблем с монтажом BGA в виде утекания припоя нет, места чуть больше.
Сообщение отредактировал UnDerKetzer - Aug 12 2016, 13:41
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 13:44
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 11 653
Регистрация: 25-03-05
Из: Минск
Пользователь №: 3 671

|
Считайте, что издеваюсь. Дайте картинку, как выводите НАРУЖУ, а не ВНУТРИ. Внутри обычно питания и масса неиспользуемых выводов. Сигнальные там на внутренних слоях вытягиваются. На внутренних без разницы, так как количество отверстий от этого не меняется Вот, все вытянуто на верхнем слое
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 13:48
|

Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 771
Регистрация: 24-04-08
Из: Зеленоград
Пользователь №: 37 056

|
Цитата(UnDerKetzer @ Aug 12 2016, 16:16)  Дорожка 0.2 (контроль импеданса), виасы 0.2/0.4, провести трассу DQ3 под BGA на топе невозможно (цифра 1), а в случае использования via-in-pad линию DQ2 - возможно. Может я чего-то не понимаю, конечно, но выглядит как шило на мыло. Так бы в ТОР вышли первые два ряда, а следующие через dog bone и далее во внутренних. А тут наоборот - первые во внутренних, задние в TOP. Суммарно по слоям одно и то же. PROFIT в том, чтобы вытащить дальний ряд именно в TOP? Цитата(Uree @ Aug 12 2016, 16:44)  Ваш случай делается в 8-ми слоях и без ВИП: +1 Переходные в падах и микровиа для этой задачи стоит использовать только в случае, если хочется опыта набраться за счёт работодателя.
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 14:07
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 105
Регистрация: 10-03-08
Из: Helsinki
Пользователь №: 35 763

|
Цитата(Владимир @ Aug 12 2016, 19:44)  Считайте, что издеваюсь. Дайте картинку, как выводите НАРУЖУ, а не ВНУТРИ. Внутри обычно питания и масса неиспользуемых выводов. Сигнальные там на внутренних слоях вытягиваются. Вот именно, что обычно. Вот распиновка, взгляните на пин-аут ДДР контроллера - все собрано в кучу и занимает весь правый верхний квадрант чипа. Оттуда выводить хочется не только по двум внутренним сигнальным слоям, но и по внешним. А чтобы вытянуть по внешним, нужен контроль импеданса 40Ом, а с препрегом в 0.1мм это ширина трассы 0.27мм! Её не вытянуть и с via-in-pad, не говоря о dog-bone. И как решать эту коллизию с импедансом я вообще не представляю... С одной стороны - тоньше препрег нельзя, с другой - линии по TOP и BOT не тянутся, поскольку толстенные. Цитата На внутренних без разницы, так как количество отверстий от этого не меняется Абсолютно справедливо. Цитата Вот, все вытянуто на верхнем слое А ширина трассы какая? Видимо, 0.1, коль скоро между падами по две линии аж протянуто. И каков импеданс у линии? 70Ом? Uree, Владимир, Corvus, господа, да я уверен, что все разводится в 8 слоях. Мне лишь непонятно - как именно. Ведь если 4 плейна, то остается 4 слоя. Внешние не подходят, поскольку оттуда не вытянуть такую толстую трассу, остается 2 внутренних слоя для всех линий (dq, dqs, addr, clock, ctrl).
Сообщение отредактировал UnDerKetzer - Aug 12 2016, 14:07
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 14:11
|

ядовитый комментатор
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 765
Регистрация: 25-06-11
Пользователь №: 65 887

|
Цитата Материал FR-4 даже от разных производителей имеет практически одинаковую сетку толщин диэлектрика, фольги и препрегов. Т.е., конечно, у разных производителей есть свои особенные продукты - у кого-то дополнительно есть очень тонкие ядра, но основная сетка толщин (0.1, 0.15, 0.2, 0.25, 0.3, 0.51, 0.71 и т.д.) а также меди (0.018, 0.035, 0.070, 0.105) - есть всегда. Толщина- конечно, и плетение тоже. А вот Dk, Df, CTE и еще кое чего до кучи- совсем нет. Не поверите, даже пара из этого списка влияет на дизайн похлеще чем толщина. Цитата Уже сказано - неверный это подход. Нужно стараться делать максимально унифицированно, чтобы любой приличный завод мог изготовить плату. А то наладите производство, а цеха сгорят, или закроется фирма, и что - финита ля, поскольку никто больше не может изготовить по вашим требованиям? Неверный подход предлагаете именно вы- он противоречит здравому смыслу: любой стек всегда нужно уточнять у конкретного производства. Всегда  А вы чушь несете какую-то. Цитата Опять 25. Да, именно это я и хочу сказать. Специально для вас - смотрите аттач. Дорожка 0.2 (контроль импеданса), виасы 0.2/0.4, провести трассу DQ3 под BGA на топе невозможно (цифра 1), а в случае использования via-in-pad линию DQ2 - возможно. Я в принципе понимаю вашу идею на этом скриншоте, однако поддерживаю комментарии Uree, Владимир-а и Corvus отписавшихся на эту тему. Ну и по правде говоря сильно попахивает сферическим дизайном в вакууме. Ну и длина догбона тоже отдельная тема для разговора. Цитата Есть в ваших словах истина, но 10 слоев для разводки DDR3 - жирновато... Как-то же упихивают в 4 слоя с контролем импеданса?!.. Да можно и 2 при желании и соответствующем дизайне(ключевой момент)- и также будут соблюдены все констрейны. В вашем случае все зависит от того что за компоненты вокруг и как они упакованы- но в целом 8 слоев это нормальный старт. Но не потолок. Цитата Вот именно, что обычно. Вот распиновка, взгляните на пин-аут ДДР контроллера - все собрано в кучу и занимает весь правый верхний квадрант чипа. Оттуда выводить хочется не только по двум внутренним сигнальным слоям, но и по внешним. А зачем? С учетом частот на которых гоняется ваша память, используйте neck-и, как сказал Uree если не можете нормально вывести. Но все равно мне кажется что с расчетами у вас что-то не так. Ну выведете вы один проводник из центра при VIP- ну и что? Там до кучи еще добра которое надо выводить, целиком эту проблемы вы не решите этой технологией. Тут либо пересматривать нормы, либо расстановку компонентов.
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 14:27
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 11 653
Регистрация: 25-03-05
Из: Минск
Пользователь №: 3 671

|
Цитата(UnDerKetzer @ Aug 12 2016, 17:07)  А ширина трассы какая? Видимо, 0.1, коль скоро между падами по две линии аж протянуто. да Цитата И каков импеданс у линии? 70Ом? Там нет DDR Только дифпары Но не в этом дело. просто как пример вывода на внешнем слое
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 14:27
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 105
Регистрация: 10-03-08
Из: Helsinki
Пользователь №: 35 763

|
Цитата(EvilWrecker @ Aug 12 2016, 20:11)  Толщина- конечно, и плетение тоже. А вот Dk, Df, CTE и еще кое чего до кучи- совсем нет. Не поверите, даже пара из этого списка влияет на дизайн похлеще чем толщина. Отчасти согласен. И кстати вы правы - не поверю. Проверил: разброс 25% толщины дает импеданс 39.7-53.7, т.е. дельта 14 Ом. Разброс 25% Dk дает импеданс 43.3-52.5, т.е. дельта 9.2 Ом. Но влияние серьезное, это факт. Цитата Неверный подход предлагаете именно вы- он противоречит здравому смыслу: любой стек всегда нужно уточнять у конкретного производства. Всегда  А вы чушь несете какую-то. Опять же, согласен от части. Но ведь верно также и то, что 100% закладываться на исключительно одного производителя - тоже не вполне разумно. Цитата Я в принципе понимаю вашу идею на этом скриншоте, однако поддерживаю комментарии Uree, Владимир-а и Corvus отписавшихся на эту тему. Ну и по правде говоря сильно попахивает сферическим дизайном в вакууме. Вы правы. Ладно, если вы не против, закрываем вопрос с via-in-pad, и возвращаемся к стек-апу. Я его пересмотрел и согласовал с Резонитом. По-прежнему получаю для трассы 40 Ом на внешнем слое ширину проводника 0.28 - как обойти проблему? Цитата Да можно и 2 при желании и соответствующем дизайне(ключевой момент)- и также будут соблюдены все констрейны. В вашем случае все зависит от того что за компоненты вокруг и как они упакованы- но в целом 8 слоев это нормальный старт. Но не потолок. А зачем? С учетом частот на которых гоняется ваша память, используйте neck-и, как сказал Uree если не можете нормально вывести. Но все равно мне кажется что с расчетами у вас что-то не так. Спасибо. Видимо, буду использовать neck-и, хотя и ОЧЕНЬ не хочется: дело в том, что в литературе я не встречал описания влияния neck-ов на сигнал, выраженного в цифрах, и для меня neck - неоднородность с неясными характеристиками. Да, я интуитивно отдаю себе отчет в том, что три-четыре neck-а влиять критично не должны, но... По поводу расчетов: ну не знаю... Проверял несколько раз. Взгляните, если не трудно, может что-то увидите (аттач). Владимир, если бы речь шла об 0.1/0.1, проблемы бы вовсе не было - это трассируется легко. Меня тревожит именно случай с ddr3, где есть требования к импедансу, а импеданс достижим лишь толстенными трассами, поскольку лимит по толщине препрега я уже выработал. Господа, прошу взглянуть на стек-ап: были внесены правки на основании дискуссии, а также он был предварительно согласован с технологом. Стало ли лучше?
Сообщение отредактировал UnDerKetzer - Aug 12 2016, 14:34
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 14:37
|

ядовитый комментатор
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 765
Регистрация: 25-06-11
Пользователь №: 65 887

|
Цитата Отчасти согласен. И кстати вы правы - не поверю. Проверил: разброс 25% толщины дает импеданс 39.7-53.7, т.е. дельта 14 Ом. Разброс 25% Dk дает импеданс 43.3-52.5, т.е. дельта 9.2 Ом. Но влияние серьезное, это факт. Оно и понято- при ваших цифрах разбег сопоставим или больше технологического разброса по контролю целевого импеданса. В лотерею играете то есть Цитата Опять же, согласен от части. Но ведь верно также и то, что 100% закладываться на исключительно одного производителя - тоже не вполне разумно. А это вообще говоря неизбежно в определенном смысле- единственное что хорошо в вашем случае, так это факт того что требуемые цифры в вашей плате можно набрать довольно большой комбинацией материалов. Цитата Спасибо. Видимо, буду использовать neck-и, хотя и ОЧЕНЬ не хочется: дело в том, что в литературе я не встречал описания влияния neck-ов на сигнал, выраженного в цифрах, и для меня neck - неоднородность с неясными характеристиками. Да, я интуитивно отдаю себе отчет в том, что три-четыре neck-а влиять критично не должны, но... А вы их длинными не делайте(только в области фанаутов у бга) и сами трассы держите короче. Для ваших скоростей это ничто. Вот если бы был Zynq Ultrascale(MPSOC+) c DDR4, то другое дело совсем. А какие цифры Резонит дает для 50 Ом?
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 15:34
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 105
Регистрация: 10-03-08
Из: Helsinki
Пользователь №: 35 763

|
Цитата(ClayMan @ Aug 12 2016, 21:16)  На картинке стэка тощина фольги VCC слоя 0.35 - думаю стоит поправить) Ну и на картинке расчета импеданса подтрав аж 130 мкм, если не ошибаюсь - как-то уж очень круто) Ой, точно, ноль забыл. Подтрав сделал 50%, пожалуй, можно и поменьше. Впрочем, мало влияет на импеданс. Спасибо!
|
|
|
|
|
Aug 12 2016, 18:40
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 11 653
Регистрация: 25-03-05
Из: Минск
Пользователь №: 3 671

|
Что вы маетесь. Закажите расчет на заводе. многие делают это бесплатно для потенциальных заказчиков. Например тут для технологии только со сквозными отверстиями, а тут напишите, что вам надо и вам рассчитают, для применяемых у них материалов. Но лучше сразу на тот завод, с которым вы работаете. Там учтут и с учетом прессования и прочих технологических уловок для выдержки нужного волнового сопротивления.
|
|
|
|
|
Aug 15 2016, 13:41
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 105
Регистрация: 10-03-08
Из: Helsinki
Пользователь №: 35 763

|
to EvilWreckerЦитата А вы их длинными не делайте(только в области фанаутов у бга) и сами трассы держите короче. Для ваших скоростей это ничто. Вот если бы был Zynq Ultrascale(MPSOC+) c DDR4, то другое дело совсем. Посмотрим, быть может, проще пойти на компромисс с волновым: задаться 45-ю омами и тянуть без неков вовсе. Кстати, коль скоро вы упомянули: как же тогда решается трассировка Ultrascale с DDR4 в таком случае? Тупо количеством слоев? Цитата(Владимир @ Aug 13 2016, 01:40)  Что вы маетесь. Закажите расчет на заводе. многие делают это бесплатно для потенциальных заказчиков. Например тут для технологии только со сквозными отверстиями, а тут напишите, что вам надо и вам рассчитают, для применяемых у них материалов. Но лучше сразу на тот завод, с которым вы работаете. Там учтут и с учетом прессования и прочих технологических уловок для выдержки нужного волнового сопротивления. Да, вероятно, вы правы, этот путь оптимален. Спасибо. И спасибо всем ответившим, искренне признателен за критику, советы и наставления. Владимир, вопрос к вам как к модератору: можно ли будет в этой же теме попросить покритиковать саму трассировку, или же лучше следует создать новый топик?
Сообщение отредактировал UnDerKetzer - Aug 15 2016, 13:44
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|