Входное Сопротивление Эмиттерного Повторителя Опции

[Vlad_2008]

Цитаты из П.Хоровиц, У.Хилл "Искусство схемотехники".

Пусть напряжение на базе изменилось на deltaUб; cоответсвующее напряжение на эмиттере составит:deltaUэ=deltaUб

Следовательно напряжение между базой и эмиттером - Uбэ при этом не изменилось.

Определим изменение тока в эмиттере

Стоп. Переход база-эмиттер представляет собой диод, а ток эмиттера является суммарным током текущим через этот диод.
Вольт-амперная характеристика(ВАХ) любого диода есть взаимооднозначная функция - каждому значению напряжения диода соотвтетсвут одно и только одно знаение тока, и каждому значению тока диода сответсвует одно и только одно знаение напряжения диода. Спрашивается как же эмиттерный ток умудряется изменятся при неизменном Uбэ???

[Mc_off]

Похоже на развод

А если серьезно, то просто напишите систему уравнений для данной схемы и многое стенет понятно...

[Vlad_2008]

А если серьезно, то просто напишите систему уравнений для данной схемы и многое стенет понятно...

Вы бы не могли поконкретней ответить на вопрос?

[EUrry]

ток эмиттера является суммарным током текущим через этот диод

Это ток эмиттерного перехода (но и не ток базы!!!), а не ток эмиттера. Iэ=Iб+Iк. Коллекторный ток вы куда подевали??? Вклад тока эммиттерного перехода в ток эмиттера невелик.

[vvvvv]

Не нужно понимать в лоб схему прозвонки транзистора.
Да для прозвонки транзистор это два диода, а для линейного режима
это усилитель тока и ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора, причем ток коллектора раз в 100 больше тока базы.

[Stanislav]

Цитаты из П.Хоровиц, У.Хилл "Искусство схемотехники".
Следовательно напряжение между базой и эмиттером - Uбэ при этом не изменилось.
Стоп. Переход база-эмиттер представляет собой диод, а ток эмиттера является суммарным током текущим через этот диод.

Настоятельно НЕ рекомендую в таких тонких вопросах пользоваться Хоровиц-Хиллом.

...Вольт-амперная характеристика(ВАХ) любого диода есть взаимооднозначная функция - каждому значению напряжения диода соотвтетсвут одно и только одно знаение тока, и каждому значению тока диода сответсвует одно и только одно знаение напряжения диода.

Дык речь идёт о диоде, или о транзисторе? Эти понятия, знаете ли, различаются качественно.

...Спрашивается как же эмиттерный ток умудряется изменятся при неизменном Uбэ???

В рамках примитивной модели транзистора 0-го порядка, соображения ХХ нужно признать корректными.
При более точном расчёте следует принять во внимание зависимость бета и напряжения БЭ от напряжения КЭ при неизменном токе коллектора, а также выходное сопротивление коллектора.

ЗЫ. Ток базы отдичается от тока эмиттера на бета+1.

[Vlad_2008]

Но пусть даже в рамках "примитивной модели транзистора 0-го порядка"
Uбэ все же увеличивается при увеличении Iэ (а Хоровиц и Хилл из-за незначительности deltaUбэ им просто пренебрегают)?

[EUrry]

Но пусть даже в рамках "примитивной модели транзистора 0-го порядка"
Uбэ все же увеличивается при увеличении Iэ (а Хоровиц и Хилл из-за незначительности deltaUбэ им просто пренебрегают)?

Само сабой пренебрегают! Куда ж без этого? Напряжение на нагрузке во много раз больше, чем на переходе БЭ.
Там 100% ООС. Сначала напряжение на переходе увеличивается, соответственно увеличивается и эмиттерный ток, а только потом начинает работать ООС до устаканивания процессов (Uвх~=Uвых). Не одномоментно же это всё происходит! Причинно-следственные отношения, однако!!!

[131959G]

Но пусть даже в рамках "примитивной модели транзистора 0-го порядка"
Uбэ все же увеличивается при увеличении Iэ (а Хоровиц и Хилл из-за незначительности deltaUбэ им просто пренебрегают)?

Не знаю как в теории.
На практике как увеличишь Iэ, транзистор нагреется и почему то Uбэ уменьшается если Iэ-ра не давать меняться.

[EUrry]

Не знаю как в теории.
На практике как увеличишь Iэ, транзистор нагреется и почему то Uбэ уменьшается если Iэ-ра не давать меняться.

Вы чем увеличиваете то Iэ? Напряжением питания? Так, правильно, при нагревании полупроводника его сопротивление уменьшается, уменьшается, соответственно, и падение напряжения на нем.

[Designer56]

Для того, чтобы посчитать вх. сопротивление повторителя в режиме малого сигнала, достаточно представить его как усилитель со 100% последовательной ООС. Отсюда: вх. сопротивление схемы без ООС (схема с общим эмиттером) увеличивается в коэфф. петлевого усиления раз. Т.е. умножается на коэфф. усиления схемы с ОЭ при данном сопротивлении нагрузки. Определить Ку разомкнутой схемы не сложно: (ток покоя)*®/(температурный потенциал). Вх. сопротивление разомкнутой схемы тоже определяется просто: rб+(температурный потенциал)/(ток покоя).

[tyro]

Само сабой пренебрегают! Куда ж без этого? Напряжение на нагрузке во много раз больше, чем на переходе БЭ.
Там 100% ООС. Сначала напряжение на переходе увеличивается, соответственно увеличивается и эмиттерный ток, а только потом начинает работать ООС до устаканивания процессов (Uвх~=Uвых). Не одномоментно же это всё происходит! Причинно-следственные отношения, однако!!!

И с какой же задержкой?

[EUrry]

И с какой же задержкой?

Ну уж вы спросили!!! Куча всяких задерживателей!!!

[131959G]

И с какой же задержкой?

Ну например с t=1/(восьмерка спит (сек.)).
А что, такого (задержки) быть не может в транзисторе?
(Опа 13-ое сообщение уже (ЗЫ))

Сообщение отредактировал 131959G - Feb 10 2008, 08:56

[sera_os]

И с какой же задержкой?

Зависит от транзистора .