Зависает sim508 (sim300) Опции

[viakon]

На дергание ногой PWRKEY не реагирует, после отключения/ включения питания на команде AT+CGATT=1 появлось сообщения Call Ready и снова завис.
Температурный режим в норме
Прошивка B10 spansion

Выключил питане на 10 сек тогда заработал снова нормально

[Клим]

ЗЫ Не говоря уже про то, что сильно сомневаюсь, что у них программа лежит в одних и тех-же блоках с данными и не предусмотрено какогото механизма восстановления поврежденных данных, ну или ходя-бы сброса настроек если данные повреждены.

То вы китайцев плохо знаете. Если для памяти указан МАКСИМУМ в 100000 операций записи - то они читают как МИНИМУМ. Там вообще все делается из рассчета чем меньше деталей, тем лучше и чем проще - тем еще лучше.
Ну а насчет "механизма восстановления" - было бы неплохо. Может, когда-нибудь и сделают .
А вообще, обсуждалось уже, что вся проблема возникает из-за того что при просадке напряжения могут гулять адреса для записи - потому поврежденными могут оказатся любые блоки.

[CADiLO]

Да уж китайцы..... Почему-то в модулях с памятью SPANSION (побайтная запись) слет прошивки был огромной редкостью. Стоило поставить память с поблочным механизмом записи и вуаля....

И конечно же никто постоянно флешку не пишет - там есть блок PSRAM для постоянной работы и часть его периодически (вот как часто не знаю) сбрасывается во FLASH - банк 2. Кроме того чтобы не писать в одно и то же место и жрать ресурс - пишется в разные места.

Так что 100000 это перезапись ВСЕЙ флешки. А распределенная запись позволяет увеличивать ресурс многократно.

Просто для примера - при наличии одного мега памяти с ресурсом 100000 и записи блока 256К в 4 разных места - мы получим общий ресурс для блока - 400000. А если пишем блок 128К, то ресурс для блока будет 800000.

Для этого достаточно несколько раз считать полностью прошивки и сравнить их. Первый банк - сама программа - всегда одинаков, а банк 2 будет разным.

Я даю информацию так как мне сказали ихние инженеры, а уж те кто не желает ей верить могут провести свои практические и теоретические изыскания и дать другие объяснения.....

Мы это проходили когда столкнулись с ограниченным ресурсом записи в памяти АТ45ххх - так вот как раз упаковка данных и запись блока в разные места позволила почти в 5 раз увеличить время жизни и накопления данных. Пока не нашли другую быструю флешку с большим объемом и ресурсом.

[YAM]

Ув. CADiLO, а с чего Вы взяли, что в памяти SPANSION (s71pl032....) и SST (sst34hf3284.....) разные принципы записи данных?
По даташиту у SPANSION минимальный размер стираемого сектора 4 килослова, у SST 2 килослова. Время записи слова на стертом секторе у SPANSION от 6 до 100uS, у SST до 10uS, так что перевес скорее у SST чем у SPANSION в плане успешности записи...
Скорее всего просто кривые ручки у китайцев при переходе на новую память....

[CADiLO]

Вот с этого - выше было написано:

>>>Я даю информацию так как мне сказали ихние инженеры, а уж те кто не желает ей верить могут провести свои практические и теоретические изыскания и дать другие объяснения.....

Есть проблема и есть рекомендации от производителя. Я им задал вопрос и получил конкретный ответ. А следовать ему или нет это
право каждого. Если у Вас есть время изучать даташиты на память и анализировать ситуацию - пожалуйста - свои предложения Симкому.
Может они ручки свои и выпрямят.....
Мы, к сожалению, повлиять на них не можем.

[YAM]

Ув. CADiLO, я это все не к тому... Просто Вы уже неоднократно заявляли, что слет памяти у модемов с памятью SST связан с блочной записью. Но принцип записи для памяти SPANSION по даташиту точно такой-же... Если Вы являетесь их дисти, то необходимо все-же заботиться о своей репутации как грамотного инженера сопровождения.
Это все не в обиду Вам сказано. Вы делаете не мало для продвижения их марки...

[CADiLO]

Я не обижаюсь на справедливую критику - действительно мое упущение то что не посмотрел даташиты не память. Просто "левых" рекомендаций от симкома не было - они если не могли ответить сразу, то или не отвечали, или брали таймаут и отвечали позже.
Поэтому когда я задавал ихним инженерам вопрос про память, то получил от них именно тот ответ который и цитирую.
Значит придется перепроверять некоторые моменты.....
Что-ж мы все не без недостатков.... Бывают и упущения....

[stream]

Скорее всего, в старых модулях стояла отдельная мелкая NVRAM для профайлов (в которую действительно можно писать побайтно), а при переходе на новые флеши заодно ее выкинули для экономии...

[YAM]

Все, что стояло, то и осталось, кроме другого типа самой флешины, совмещенной с озу...