реклама на сайте
подробности

 
 
> Вопросы по Microwave Office
EUrry
сообщение Dec 27 2008, 22:05
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Доброго времени суток!

ПРЕАМБУЛА

Знаю, что в этой ветке есть множество топиков, в той или иной степени посвященных Microwave Office, но поиск хоть какого-то, для написания вопроса, все мои надежды свёл на нет - нашлось уйма страниц, которые не пересмотреть. Поэтому, возникло предложение к модераторам тему, посвященную MWO, разместить вверху ветки аналогично вопросам по HFSS и др. В общем-то, думаю, что это оправдано, т. к. многими MWO широко используется, и, в своей нише, по возможностям не хуже тех же HFSS или CST MWS. Да и порядок в ветке быть может лучше станет. Не мне решать, конечно, но мое мнение таково и, думаю, не безосновательно. laughing.gif Кто солидарен со мной, можете поддержать!

АМБУЛА

Ну вот, собственно и вопрос по теме. Частотные зависимости S-параметров некоего устройства описаны математическими выражениями в модуле Output Equations. Можно ли, используя эти S-параметры, создать схемный элемент для дальнейшего его использования в схемном редакторе в связке с другими моделями. Можно, конечно, описать связку данного устройства с другими моделями аналитически в том же Output Equations, но это очень грустно (кто ручками пересчитывал S-параметры каскадно соединенных устройств, тот поймет wacko.gif ), да и вкрапление ошибок при громозких выражениях значительно больше получается, нежели при программном проверенном пересчете. В хелпе что-то ничего не попалось подобного. Такая возможность была бы очень полезна. Что скажете, коллеги?


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
106 страниц V  « < 24 25 26 27 28 > »   
Start new topic
Ответов (375 - 389)
sp1noza
сообщение Jun 22 2010, 04:38
Сообщение #376


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 120
Регистрация: 18-06-08
Из: Томск
Пользователь №: 38 375



Цитата(joxan @ Jun 21 2010, 20:25) *
......
Модель транзистора TOM3 представлена большим набором параметров и крайне скудным описанием, суть которого сводится к ссылке на статью R. B. Hallgren and D. S. Smith, "TOM3 Equations," Triquint Internal Report (unnumbered), 2 December 1999. Найти указанный труд не получилось. Если кто сталкивался с подобными проблемами поделитесь опытом описания полевых транзисторов моделью TOM3 или более подробным описанием самой модели.


Конечно не удалось, там же написано - внутренний отчет компании Triquint.

Более подробное описание можно найти в help'e ADS.

Сообщение отредактировал sp1noza - Jun 22 2010, 04:39
Go to the top of the page
 
+Quote Post
joxan
сообщение Jun 23 2010, 02:31
Сообщение #377


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 26
Регистрация: 29-06-09
Пользователь №: 50 752



Спасибо, нашел хелп ADS'а, буду ковыряться.
Существует ли методика экстракции параметров реальных приборов (ПТШ) для описания их нелинейными моделями (в частности ТОМ3)?

Сообщение отредактировал joxan - Jun 23 2010, 02:32
Go to the top of the page
 
+Quote Post
joxan
сообщение Jun 23 2010, 05:32
Сообщение #378


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 26
Регистрация: 29-06-09
Пользователь №: 50 752



Остается вопрос - почему модель STOM1 не запускается для SPICE анализа?

Другой вопрос - может кто подскажет GaAs MESFET транзистор в datasheet'e которого представлено его описание с помощью модели ТОМ3?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sp1noza
сообщение Jun 29 2010, 07:29
Сообщение #379


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 120
Регистрация: 18-06-08
Из: Томск
Пользователь №: 38 375



Цитата(joxan @ Jun 21 2010, 20:25) *
Возникла необходимость перейти на нелинейную модель транзистора поддерживающего HSPICE transient анализ. При моделировании методами HB пользовались ТОМ1 - получали хорошие результаты (совпадающие с действительностью), по инерции для SPICE выбрали модель STOM1 (SPICE-equivalent implementation of the TOM1 model. It should be used where precise SPICE compatibility is needed) и ТОМ3.

Проект с транзистором типа STOM1 выдал ошибку при моделировании методом HSPICE transient, почему?Как адаптировать модель для transient анализа?


Да, действительно AWR ругается при моделировании нелинейных моделей HSPICE'ом, причем выборочно как-то ругается. Одни модели моделируются (например, TOM3, Curtice 2 и т.п.), а другие наотрез - TOM1, Statz и т.п. В чем причина не могу понять, может в AWR недоделали, может галочку надо где поставить... Лучше конечно у самих AWR спроситьsmile.gif

Кстати, вот:

http://www.ellics.com/ru

люди построением моделей транзисторов занимаются, пишут даже что Load-pull измерения от Focus есть biggrin.gif
У них там на сайте презентация есть по методике экстракции нелинейной модели.

Цитата(joxan)
Другой вопрос - может кто подскажет GaAs MESFET транзистор в datasheet'e которого представлено его описание с помощью модели ТОМ3?

Ну я думаю у Triquint'a и надо смотреть на сайте.. Их же вроде модель то (Triquint Own Model - TOM). Больше может никто и не использует.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Владимир Алекс
сообщение Jul 9 2010, 17:20
Сообщение #380


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 53
Регистрация: 26-09-09
Пользователь №: 52 595



У меня вопрос немного другого плана -подскажите плиз как изменится частотная
характеристика рассчитанного в емсайте полосового фильтра ( в замкнутой металлической коробке)
реально он должен стоять в большем корпусе который просчитывается долго help.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evgdmi
сообщение Jul 9 2010, 18:07
Сообщение #381


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 440
Регистрация: 19-01-10
Из: г. Жуков, Россия
Пользователь №: 54 932



>Владимир Алекс
Так ведь от нескольких факторов будет зависеть, какая средняя частота, какая полоса пропускания, структура фильтра, как близко боковые стенки, да и высота до крышки и т.д. Попробуйте немного увеличить размеры корпуса, в сторону реального, и сравните. И т.д., пока результат перестанет изменяться.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
EUrry
сообщение Jul 9 2010, 18:20
Сообщение #382


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Цитата(Владимир Алекс @ Jul 9 2010, 21:20) *
У меня вопрос немного другого плана -подскажите плиз как изменится частотная
характеристика рассчитанного в емсайте полосового фильтра ( в замкнутой металлической коробке)
реально он должен стоять в большем корпусе который просчитывается долго help.gif

Вопрос нетривиален! Как угодно, это ж СВЧ!!! Думаешь одно, а на деле совершенно неожиданно другое получается. laughing.gif

Цитата(evgdmi @ Jul 9 2010, 22:07) *
[Попробуйте немного увеличить размеры корпуса, в сторону реального, и сравните. И т.д., пока результат перестанет изменяться.

Да, думаю логично так попытаться делать.


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Green_Smoke
сообщение Jul 9 2010, 19:17
Сообщение #383


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 259
Регистрация: 26-11-09
Пользователь №: 53 893



Цитата(Владимир Алекс @ Jul 9 2010, 21:20) *
У меня вопрос немного другого плана -подскажите плиз как изменится частотная
характеристика рассчитанного в емсайте полосового фильтра ( в замкнутой металлической коробке)
реально он должен стоять в большем корпусе который просчитывается долго help.gif

Скорее всего у характеристики уменьшится крутизна скатов (станут более пологими). Заметил такой эффект, что при размещении фильтров в узком корпусе повышается крутизна скатов по сравнению с расчетной, правда считали немного другими методами.


--------------------
Такого вообще-то не должно быть — но исключать такого нельзя.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Владимир Алекс
сообщение Jul 10 2010, 14:40
Сообщение #384


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 53
Регистрация: 26-09-09
Пользователь №: 52 595



спасибо за комментарии biggrin.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
deza
сообщение Sep 8 2010, 11:10
Сообщение #385





Группа: Новичок
Сообщений: 5
Регистрация: 7-09-10
Пользователь №: 59 355



Только начинаю изучать MWO? так что сильно не бейте.
Вопрос собственно вот в чем хочу посчитать индуктивность и добротность печатной катушки на FR4 1 мм толщиной. Частота до 2гиг
Чет не могу понять что неправильно делаю.
Во вложении мой проект.

Подскажите если нетрудно, или может есть де то пример подобных расчетов.
Спасибо.

Сообщение отредактировал deza - Sep 8 2010, 11:12
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  ind.rar ( 17.38 килобайт ) Кол-во скачиваний: 34
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
EUrry
сообщение Sep 8 2010, 15:06
Сообщение #386


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Цитата(deza @ Sep 8 2010, 15:10) *
Подскажите если нетрудно, или может есть де то пример подобных расчетов.

Вы бы посмотрели для начала что-нибудь типа этого. А то получается, что за Вас кто-то всё должнен сделать. Ваш проект абсолютно пуст - только какая-то спираль в подвешенном состоянии. Посмотрите понятие порта в EM-анализе, процедуру de-embedding и другие начальные понятия.


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Yuri Potapoff
сообщение Sep 9 2010, 13:52
Сообщение #387


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 752
Регистрация: 10-11-04
Из: Железнодорожный
Пользователь №: 1 093



EUrry

Так у подвешенной спирали добротность всегда выше. wink.gif smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evgdmi
сообщение Sep 11 2010, 17:30
Сообщение #388


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 440
Регистрация: 19-01-10
Из: г. Жуков, Россия
Пользователь №: 54 932



EUrry прав, нужно разобраться с организацией входа-выхода, и не только. Для моделирования лучше выбрать симулятор AXIEM, который при анализе может учитывать толщину проводников. В опциях ЕМ структуры на вкладке Mesh нужно снять "галочки" в опциях Use project defaults и Model as zero thickness. Размер ячеек лучше взять 0.5 мм, чтобы все размеры были кратны размеру ячеек. Вместо измеряемой величины Q_IN может быть лучше выбрать Q_IN2, созданной специально для 2-х портовых структур. Такой проект во вложенном файле. Однако я никогда не имел дела со спиральными катушками и возможно где-то "нахимичил". Может кто-нибудь занимался такими катушками и сможет прокомментировать этот проект и полученные результаты?
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  ind.rar ( 125.24 килобайт ) Кол-во скачиваний: 33
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Sledovatel
сообщение Sep 22 2010, 07:04
Сообщение #389





Группа: Новичок
Сообщений: 5
Регистрация: 7-04-09
Пользователь №: 47 294



Добрый день!
У меня такой вопрос: можно ли на графике с S-параметрами задать изначально какой-то примитив (например параболу) на нужных чатотах, чтобы под него потом переменными подгонять форму фильтра? как это сделать? каким-то уравнением? там есть конечно возможность чертить на графике стандартными инструментами, но вот скажем интструмент Arc далек от параболы. Извиняюсь, если такое было, спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evgdmi
сообщение Sep 22 2010, 17:03
Сообщение #390


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 440
Регистрация: 19-01-10
Из: г. Жуков, Россия
Пользователь №: 54 932



>Sledovatel
Можно, например, "дубовым" способом. Нарисуйте на миллиметровке нужный график (например параболу) и в блокноте или другом текстовом редакторе создайте файл данных с расширением s2p. Если не знаете структуру такого файла, возьмите любой проект и создайте выходной файл (Output Files), откройте его в блокноте. Это просто таблица зависимости S-параметров от частоты. Импортируйте его в свой проект и подгоняйте фильтр. Хотя не очень понятно, зачем это нужно. Можно же установить вертикальные маркеры на граничных частотах и частотах заграждения и горизонтальные на нужных уровнях ослабления.

Сообщение отредактировал evgdmi - Sep 22 2010, 17:34
Go to the top of the page
 
+Quote Post

106 страниц V  « < 24 25 26 27 28 > » 
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st June 2025 - 21:11
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01513 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016