Вопросы по Microwave Office Опции

[EUrry]

Доброго времени суток!

ПРЕАМБУЛА

Знаю, что в этой ветке есть множество топиков, в той или иной степени посвященных Microwave Office, но поиск хоть какого-то, для написания вопроса, все мои надежды свёл на нет - нашлось уйма страниц, которые не пересмотреть. Поэтому, возникло предложение к модераторам тему, посвященную MWO, разместить вверху ветки аналогично вопросам по HFSS и др. В общем-то, думаю, что это оправдано, т. к. многими MWO широко используется, и, в своей нише, по возможностям не хуже тех же HFSS или CST MWS. Да и порядок в ветке быть может лучше станет. Не мне решать, конечно, но мое мнение таково и, думаю, не безосновательно. Кто солидарен со мной, можете поддержать!

АМБУЛА

Ну вот, собственно и вопрос по теме. Частотные зависимости S-параметров некоего устройства описаны математическими выражениями в модуле Output Equations. Можно ли, используя эти S-параметры, создать схемный элемент для дальнейшего его использования в схемном редакторе в связке с другими моделями. Можно, конечно, описать связку данного устройства с другими моделями аналитически в том же Output Equations, но это очень грустно (кто ручками пересчитывал S-параметры каскадно соединенных устройств, тот поймет ), да и вкрапление ошибок при громозких выражениях значительно больше получается, нежели при программном проверенном пересчете. В хелпе что-то ничего не попалось подобного. Такая возможность была бы очень полезна. Что скажете, коллеги?

[evgdmi]

пришел к выводу что это из-за ограниченной точности представления данных.

Да, это похоже на правду. А на диаграмме Смитта действительно двигается по кругу.

[Yerd]

Посмотрел Ваш проект - если речь идет о том, что имеется резонансный провал с -80 дб до -100 дб частота которого зависит от длины линии и пришел к выводу что это из-за ограниченной точности представления данных. Порядки величин наталкивают только на такую мысль. Учитывая что в жизни мне не приходилось видеть S11 лучше -40 дб и на частотах гораздо ниже чем 10 гигагерц, я не парюсь насчет того, что есть какой-то резонанс от -80 до -100 дб.
...

Для участка длинной линии у которого S11 очень низкий - это похоже на правду. Но вот в случае делителя резонанс тоже бегает.. и S11 имеет гораздо большую величину - это тоже из-за неточности представления данных? Вообще с делителем тоже отдельный вопрос... длина четверть-волнового (90 гр) участка линии L2 с Z=71 Ом(в этой схеме делителя именно ламбда/4 участки должны быть по теории), судя по TX line L2 =4.70108 мм, а ширина W2=0.898151 мм для частоты 9.8 ГГц. Если в АВР поставить такие участки, то получим S11 около -20 дБ. Именение L2 до 3.86 мм дает S11=35дБ. Различие между TXline и АВР смущает..

[serges]

Для участка длинной линии у которого S11 очень низкий - это похоже на правду. Но вот в случае делителя резонанс тоже бегает.. и S11 имеет гораздо большую величину - это тоже из-за неточности представления данных? Вообще с делителем тоже отдельный вопрос... длина четверть-волнового (90 гр) участка линии L2 с Z=71 Ом(в этой схеме делителя именно ламбда/4 участки должны быть по теории), судя по TX line L2 =4.70108 мм, а ширина W2=0.898151 мм для частоты 9.8 ГГц. Если в АВР поставить такие участки, то получим S11 около -20 дБ. Именение L2 до 3.86 мм дает S11=35дБ. Различие между TXline и АВР смущает..

Это все можно пересчитать в ЕМ симуляторе.

[l1l1l1]

Это все можно пересчитать в ЕМ симуляторе.

различия результатов TxLine, AWR и ЕМ симулятора снова будут смущать.

[Yerd]

различия результатов TxLine, AWR и ЕМ симулятора снова будут смущать.

С участком линии разобрались. Делитель в АВР смущает по 2 пунктам:
1) так же как и в случае ламбда на 4 - меняются S параметры от L1. Только тут s11 по виличине гораздо больше. При изменении L1 S11 меняется от -32 и ниже. Т.е. получается что бесполезно считать S11 с более высокой точностью, чем -32.
2) не стыкуется с TXline.
Насчет 2 пункта- тут либо я ошибся где-то, либо TXline не оч точная программа. Видимо второе.
Смутило . именно большое различие, а не сам факт различия

TX line L2 =4.7мм
AWR L2=3.86 мм
L2 по теории должен быть lambda/4

С ЕМ симулятором вопросов меньше было бы. Тут вполне может не совпать: что нибудь типа высших мод на стыке линий, излучение... Т.е. сомнений вызвало бы меньше . Наверно я слишком доморощенный. но просто хотел бы иметь более или менее ясную картину.

[xMx]

удалить

Сообщение отредактировал xMx - Mar 24 2011, 16:45

[Yerd]

В общем более или менее с делителем разобрался.

[EUrry]

...Вопрос в том, почему S11 параметр зависит (хоть и слабо) от длины L1, которую можно изменить с помощью TUNE...

А с чего Вы взяли, что волновое сопротивление отрезка линии независимо от частоты и равно 50 Ом? Это несимметричная полосковая линия, обладающая, во-первых, некоторой дисперсией, а во-вторых - в 50 Ом Вы всё-равно не попадете и будут проявляться резонансные свойства отрезка вкупе с 50-тиомными портами. Возьмите идеальную линию TLIN, вот там, наверное, зависимость уже наверняка обусловлена точностью, как говорилось выше. А в данном случае не вижу противоречий.

[serges]

различия результатов TxLine, AWR и ЕМ симулятора снова будут смущать.

Как-то я сравнивал результаты калькуляторов AWR, Ansoft и еще каких-то,
так все показывали разное. В итоге считал в ЕМ симуляторе AWR.

[loreley]

Подскажите пожалуйста на счет двух моментов:
1. Как сделать экстракцию схемы их Схематика в EMSight? Примеры из Examples посмотрел, описание прочел, но ясности в этом не появилось...
2. Как в EMSight к топологии на МПЛ добавить пленочный резистор (ну или вообще резистор)? Я заходил в меню EM Structures--->Enclosure--->вкладка Material Definitions. Затем внизу этого кона - Impedance Definition--->Omega Ply и в столбце Res Sq. ставил 100. Это я так понимаю просто 100 Ом. но ведь это сопротивление на квадрат, как тогда привести к обычным Омам? И потом, ведь Res Sq относится к low frequency resistance. Елси я моделирую схему на высоких частотах, то может надо выбирать здесь Res F. которое относится к High frequency loss coeff-nt.?
Спасибо.

Сообщение отредактировал loreley - Mar 26 2011, 11:02

[EUrry]

Подскажите пожалуйста на счет двух моментов:

1) Не пробовал, не отвечу.
2) Размерность Ом/кв - это удельное поверхностное сопротивление квадрата резистивной пленки (от размера квадрата не зависит) - ρs = ρ/t, где ρ - удельное объемное сопротивление материала пленки, t - толщина пленки. Сопротивление пленочного резистора с прямоугольной топологией длиной L и шириной W: R = ρs*L/W. А Res F - это коэффициент, учитывающий частотную зависимость активного сопротивления пленки, в хелпе д. б. написано. На частотах 1-2 Ггц и, в принципе, даже несколько выше различий параметров тонко- и толстопленочных резисторов не наблюдал, так что можно не учитывать.

[genmotors-1]

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? То есть я имею ввиду, как сделать, чтобы офис учел несколько мод волн?

Сообщение отредактировал genmotors-1 - Mar 26 2011, 15:03

[evgdmi]

Как сделать экстракцию схемы их Схематика в EMSight?

Посмотрите в пособии Основы моделирования в Microwave Office 2009.

[EUrry]

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? То есть я имею ввиду, как сделать, чтобы офис учел несколько мод волн?

Что-то не припомню, чтобы можно было учеть многомодовость в схематике, да и на таковую возможность в EM тоже есть сомнения. За достоверность не ручаюсь, но по-моему MWO Вам не помощник, надо смотреть в сторону пакетов полного электромагнитного моделирования. Но м. б. меня поправят, сам буду благодарен за просвещение, если таковая возможность в MWO есть.

[loreley]

EUrry, спасибо. Т.е. если мне надо ввести в схему резистор с сопротивлением R=50 (Ом), то я задаю сопротивление квадрата, например Rкв = 100 (Ом/кв), и подбирая размеры резистивной пленки (длина и ширина), подгоняю под нужное мне изначально значение R=50 (Ом)?