Теперь вероятно будет понятно, почему я тут ходил и доставал всех своими вопросами ;-)
Первая статья о моём проекте на хабре -
http://habrahabr.ru/blogs/DIY/118534/Форум проекта -
http://3.14.by/forum/viewforum.php?f=11На данный момент, меньше всего информации и/или идей по:
1) Выделить наиболее критичные по чистоте операции в CMOS процессе с металлическим затвором.
Я правильно понимаю, что после того как металл затвора положили - дальше хоть трава не расти? :-)
И в целом - основная проблема по чистоте - в накоплении носителей заряда в дефектах под и над затворным диэлектриком?
2) По прежнему ищу способ металлизации без вакуума.