реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> Алюминий, омический контакт/pn-переход
BarsMonster
сообщение Sep 17 2011, 16:31
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Возник вопрос тут:
Известно что алюминий является примесью типа p.

1) Как же работают алюминиевые контакты к кремнию типа n? Т.е. понятно что после отжига они работают, но я что-то перестал понимать почему.
И в целом, в случае контакта алюминия и кремния, когда получается омический контакт, когда pn-переход, и когда барьер Шотки?

2) Что ограничивает "снизу" глубину транзисторов? Можно ли легировать только верхние 5нм например и получать при этом работающие транзисторы (BJT/MOSFET?


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
EUrry
сообщение Sep 17 2011, 16:39
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312



Не гарантирую, но, насколько помню, используется область с проводимостью n+, которая после взаимодействия с алюминием становится просто n.


--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать!
Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Sep 17 2011, 16:41
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(EUrry @ Sep 17 2011, 19:39) *
Не гарантирую, но, насколько помню, используется область с проводимостью n+, которая после взаимодействия с алюминием становится просто n.

Т.е. рекомбинация неосновных носителей, и нужно чтобы алюминия там было меньше чем примеси.... С переходом значит понятно.
Остается барьер Шотки.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Sep 17 2011, 16:48
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Все контакты в кремниевой технологии - Шоттки. Просто с малым пробивным напряжением, зависящим от толщины окисла. А люминь еще и очень хорошо диффундирует в кремний и поликремний, - эффект как бы минимизации ОПЗ перехода.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Sep 17 2011, 19:35
Сообщение #5


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(BarsMonster @ Sep 17 2011, 18:41) *
Т.е. рекомбинация неосновных носителей, и нужно чтобы алюминия там было меньше чем примеси.... С переходом значит понятно.
Остается барьер Шотки.


Нет, снова не понятно )
Будет точка, где алюминия будет столько, что никакое n+ легирование не поможет, должен быть pn переход... Или я неправильно понимаю динамику диффузии алюминия.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Sep 17 2011, 20:12
Сообщение #6


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(BarsMonster @ Sep 17 2011, 23:35) *
Нет, снова не понятно )
Будет точка, где алюминия будет столько, что никакое n+ легирование не поможет, должен быть pn переход... Или я неправильно понимаю динамику диффузии алюминия.
Под рп-переходом понимают область перехода между полупроводниками, а не металлом и полупроводником. Последнее - Шоттки, Бардин.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Sep 17 2011, 20:37
Сообщение #7


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(zzzzzzzz @ Sep 17 2011, 23:12) *
Под рп-переходом понимают область перехода между полупроводниками, а не металлом и полупроводником. Последнее - Шоттки, Бардин.


Это понятно, проблема в том, что алюминий диффундирует в кремний, и получается кремний p-типа. Прямо рядом с поверхностью кремний должен быть сильно легирован в p тип => pn переход.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Sep 17 2011, 20:39
Сообщение #8


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(BarsMonster @ Sep 18 2011, 00:37) *
Это понятно, проблема в том, что алюминий диффундирует в кремний, и получается кремний p-типа. Прямо рядом с поверхностью кремний должен быть сильно легирован в p тип => pn переход.
Неа. Там, куда он диффундирует - там хреновый люминь, но не полупроводник. sm.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th June 2025 - 19:04
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01438 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016