реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V  < 1 2  
Reply to this topicStart new topic
> Ищется транзистор, SOT-23, N-Chanel, VDSS >=120V, открывающийся при 2в
misyachniy
сообщение Jan 14 2012, 09:34
Сообщение #16


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 716
Регистрация: 27-05-05
Из: Kyiv
Пользователь №: 5 454



Цитата(AlexADV @ Jan 13 2012, 14:24) *
по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC
http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20


Я уже остановился на MSP42A.
Его работа меня удивила.

Пока не приобрел его, экспериментировал с BC847. ШИМ от микроконтроллера с 5 вольтовым питанием.
Затем впаял вместо него MSP42A.
Схема не заработала.

На токоограничивающем резисторе в базе "красивые" импульсы, а собственно на базе 0,7 вольт постоянного напряжения.
Уменьшил сопротивление до 2К не помогло.
В документации написано, что насыщение база-эмитер 0,9 вольт при токе 2 мА.
По идее уже должен был работать.

Когда поставил делитель с ШИМ вывода микроконтроллера из двух резисторов по 300 ом и подключил базу к середине резистора то схема заработала.

Граничная частота транзистора 50МГц, паразитные емкости должны быть небольшими.
При моделировании с резистором 2К в базе схема работает.
Не понятно почему пришлось вкачивать в базу такой большой ток?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
dinam
сообщение Jan 14 2012, 09:57
Сообщение #17


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 415
Регистрация: 10-06-05
Из: Наукоград Кольцово(Новосибирск)
Пользователь №: 5 898



Смотрю на datasheet MPSA42 емкость база-эмиттер порядка 65 пФ, что почти на порядок больше BC847. Плюс ещё время рассасывания явно большое.
Хотя если моделирование показывает, что должно быть нормально, то странно. А по маркировке на корпусе этот транзистор именно MPSA42?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Пушкарев Михаил
сообщение Jan 14 2012, 11:17
Сообщение #18


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 076
Регистрация: 14-11-06
Из: г. Ульяновск
Пользователь №: 22 301



BC847 и MPSA42 - это совершенно разные транзисторы. У второго в 2,5 раза больше максимально допустимый постоянный ток, в 6 с лишним раз больше граничное напряжение коллектор-эмиттер. Как следствие, у него значительно больше площадь кристалла, меньше коэффициент усиления в режиме насыщения. Автор пытался заставить работать его в ключевом режиме при базовом токе 2 мА (первоначально, похоже, и еще при меньшем). А это при коэффициенте усиления 10 дает ток коллектора только 20 мА. При чем в конкретном случае емкости переходов? Импульсные свойства биполярных транзисторов определяются в основном временем рассасывания. Кстати, моделируетмя работа биполярного транзистора в режиме насыщения не удовлетворительно, мягко говоря.

Сообщение отредактировал Пушкарев Михаил - Jan 14 2012, 11:18
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Jan 16 2012, 10:31
Сообщение #19


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



MMBTA42 вполне рабочий вариант, если задать эти самые 20 мА, т.е. поставить дроссель не 47 мкГн, а 1000 мкГн, ну и написать, наконец, правильную программу "набора напряжения", насчёт чего есть большие сомнения.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V  < 1 2
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 27th April 2024 - 04:11
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0138 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016