Флэш память GL512N11FFIV1 Опции

[Грендайзер]

Здрасте вам всем)) Я ещё не волшебник, учусь тока, в связи с этим такой вопрос - есть микросхема GL512N11FFIV1 (даташитик прилогается). Если честно вообще ничего не понятно. Нормальную информацию по организации флешь памяти найти не могу, везде про эти грёбанные ячейки токо написано. Поэтуму что там в них за страницы и сектора для меня большая загатка... Вот и первый быть может глуповатый вопрос: вначале даташита написано, что объём памяти составляет 512 Мбит, т.е. 512000000 бит, или 500000 байт или 488 КБайт. Однако на стр. 16 того же даташита приводится таблица неких секторов ёмкостью по 128 Кбайт, и их ажна 512 чего же я не догоняю? заранее спасибо.

Прикрепленные файлы

 IC_ON_LINE.CN_s29gl128n90fai010_483499.pdf ( 977.45 килобайт ) Кол-во скачиваний: 16

 

[MALLOY2]

Пользователь думает что в одном килобайте 1000 байт, а программист что в 1 километре 1024 метра.
512Мбит = 512*1024*1024 = 536870912 бит 536870912/8 = 67108864 байт = 64 мегабайта.

[Грендайзер]

Опаньки... моя вина, я почему то всега путаю, это неловкое число 1024, думая что оно относится лишь к величинам выраженным в байта. Спасибо что поправили. Но тем не менее вопросов всёравно достаточно а именно с адресацией. В той же табличке на стр. 16 указаны адреса этих проклятых секторов, однако для адресации используются только старшие 9 разрядов шины, но что при этом с младшими я так и не допёр.. может быть у Вас какие нить мысли будут, а то 2-ой день в эту бумажку вгрызаюсь...

[toweroff]

Ну а младшие - адресация в секторе
Там посмотрите еще, в зависимости от разрядности шины данных, есть А0 и А0-1
Разрядность также выбиралась специальным пином

[Грендайзер]

Да, и впрямь где то это написано было, видать не внимательно прочёл... нужно перечитать, большое спасибо. И ещё, хотел уточнить, значит принцип записи/чтения во флешь память следующий: выставляю адрес сектора и блока внутри сектора - пишу/читаю, далее цикл повторяется для всех остальных секторов, правильно?

[zombi]

И ещё, хотел уточнить, значит принцип записи/чтения во флешь память следующий: выставляю адрес сектора и блока внутри сектора - пишу/читаю ...

Читать просто : выставили адрес CE,OE и читаете шину данных DQ..
Запись сложнее. На стр.63-66 в таблицах указано что, куда и в каком режиме писать для записи ячейки, стирания сектора и т.д.

[toweroff]

Да, и впрямь где то это написано было, видать не внимательно прочёл... нужно перечитать, большое спасибо. И ещё, хотел уточнить, значит принцип записи/чтения во флешь память следующий: выставляю адрес сектора и блока внутри сектора - пишу/читаю, далее цикл повторяется для всех остальных секторов, правильно?

чтение осуществляется как из обычного ОЗУ, а вот вся остальная работа (стирание, запись, доступ к CFI и т.д.) - через запись определенных команд
Какие команды, какое количество циклов, по каким адресам - все в мануале
У Spansion нормально расписано
На самом деле есть два типа (или я встречал только два) для NOR флешей алгоритмов - AMD/Fujitsu и Intel
По-моему, алгоритм можно спросить через CFI у самого чипа

[Грендайзер]

Ясно, спасибо