Старение IGBT в инверторе и изменения параметров, И не тольно IGBT, но и других елементов Опции

[Александр Козлов]

Старение полупроводниковых структур науке неизвестно.
Вот если мгновенная мощность на транзисторах слишком большая, то можно ожидать полных отказов транзистора или части структуры (ухудшение параметров). Если транзисторы применены корректно, то вопрос просто не возникнет.

[x-men]

Старение полупроводниковых структур науке неизвестно.
Вот если мгновенная мощность на транзисторах слишком большая, то можно ожидать полных отказов транзистора или части структуры (ухудшение параметров). Если транзисторы применены корректно, то вопрос просто не возникнет.

Процесс диффузии никто не отменял и он в какой то мере имеет место. + хоть и не космос, но какая то доля облучения может в незначительно мере влиять.
Долгоременная стабильность один из самых малоизученных параметров, потому что требует время для определения. А сейчас же все побыстренькому: время - деньги. Мало стало например ОУ для которых указывается временной дрейф смещения и т.п.

[In_an_im_di]

Старение полупроводниковых структур науке неизвестно.

Вас просто этому не учили. Наука тут непричём.

Тема старения и деградации пп структур настолько обширна, что даже примеры приводить как-то смысла нет.

[gte]

Возможно Вы имели в виду технологов полупроводников?

Да.

[SmartRed]

Лет 10 назад приезжал к нам в Энск супостат из Epcos с семинаром.
Показывал он нам презентацию, было там и о деградации силовых приборов.
Основной воздействующий фактор - термоциклы!

Под действием термоциклов разрушается сам кристалл, а также кристалл отваливается от основания.
Причем второе наступает в 10 раз быстрее первого у приборов на медном основании с изоляцией из оксида алюминия.

Выпустив приборы на основании из AlSiC с изоляцией из нитрида алюминия они в 5 раз улучшили устойчивость модуля к термоциклам.

Самих цифр тогда к сожалению раздобыть не удалость. [censored] отказался делиться информацией

Сообщение отредактировал Herz - Sep 7 2013, 19:23

[khach]

Старение полупроводниковых структур науке неизвестно.

Расскажите это тому, кто занимается полупроводниковыми лазерами- будет лучшая шутка сезона. Стареют, иногда прямо на глазах. Конечно, в транзисторах далеко не лазерные плотности мощностей, но тоже стареют. Например и собственного опыта- рост времени выключения IGBT транзисторов по сравнени с паспортным. Выяснилось при промере уцелевшей пары в установке индукционного нагрева. Притом запасной транзистор, пролежавший в шкафу 10 лет, не сдеградировал. Что именно деградировало в структуре - сказать невозможно, вторая пара тоже потом взорвалась. Ну и это от технологии IGBT должно зависить- разные поколения будут деградировать по-разному в силу различной конструкции ПП структуры.
PS. Описанное произошло с семикроновкимим модулями 123 серии после 12 лет эксплуатации в условиях достаточно тяжелых режимов, но старт-стоп были плавными, т.е катастрофических термоударов скорее всего небыло.