В силу некоторых причин семитранзисторный IGBT-модуль (1200 В, 50 А) будет использоваться для коммутации нагрузки (4 канала) с помощью нижних транзисторов. Каждый канал 10 А, частота менее 1 Гц, нагрузка - печи. Диоды верхних плечей будут задействованы. Транзисторы верхних плечей - не используются. Вопрос: Достаточно ли закоротить затвор-эмиттер верхних транзисторов или стоит подать отрицательное смещение?
Неиспользуемые верхние IGBT-транзисторы, закоротить или отрицательное смещение
Feb 1 2014, 13:02
