В силу некоторых причин семитранзисторный IGBT-модуль (1200 В, 50 А) будет использоваться для коммутации нагрузки (4 канала) с помощью нижних транзисторов. Каждый канал 10 А, частота менее 1 Гц, нагрузка - печи. Диоды верхних плечей будут задействованы. Транзисторы верхних плечей - не используются. Вопрос: Достаточно ли закоротить затвор-эмиттер верхних транзисторов или стоит подать отрицательное смещение?

Если в описании производителя на данный модуль нет пояснений по этому вопросу, тогда будет достаточно соединить затвор с эмиттером.

IGBT-модуль FP50R12KE3

Каких-то явных пояснений не заметил. Вряд ли производитель предусматривал такое "варварское" применение. График на стр.№6 обещает, что при Vge=5В, ток Ic=0. Но мало ли...

Соединяйте затвор и эмиттер вместе. Транзистор будет закрыт.

Нет - при резком отпирании нижнего или стремительном восстановлении запирающих свойств верхнего диода через ёмкость коллектор-затвор потечет ток, приоткрывающий запертый ключ.

И как тогда работает импульсная техника...?