реклама на сайте
подробности

 
 
> Про адресацию динамической памяти
sturi
сообщение Feb 4 2014, 17:40
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 48
Регистрация: 26-10-11
Пользователь №: 67 967



Такая вот непонятка возникла.
Есть память объемов 1Гбита. Структура у неё следующая: 8Мбит слов по 16бит и таких банков 8. Получается, если записать по основанию 2: 2^23*2^4*2^3=2^30=1Гбит.
Вопрос в адресации. Производитель предлагает 15-разрядную адресную шину, такой шиной можно адресовать 2^15*2^15*2^3=2^33, то есть аж 4Гбита.
Я правильно понимаю, что у данной микросхемы матрица прямоугольная? и когда адресуются столбцы, то используются только 12 разрядов адресной шины?

И вопрос по сигналам DQS и DM для DDR памяти. Что они означают я прочёл, но физика процесса мне не очень ясна. Сигнал Data Mask, как я понял, необходим, чтобы отсеивать ненужную выборку 2n, 4n, 8n для ddr, ddr2 и ddr3 соответственно. И сам DM имеет соответствующую разрядность для каждого типа памяти 1, 2, 3. Но что в реальности происходит с данными на выходе памяти, нули?
Строб данных я понял так, что если используется много микросхем памяти, то сигнал синхронизации до них доходит в разные моменты времени (из-за размещения) и используется дополнительный строб, который генерирует процессор, если пишет в память, или память (контроллер), если с неё читают). Но какой-то процедуры тут не хватает, ведь процессор будет выдавать данные по клокам и надо как-то синхронизировать строб и клоки уже на стороне памяти...

Дате справку, пожалуйста))
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 27th July 2025 - 18:11
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0135 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016