Выполнить заказ по моделированию в TCAD, По описанию набора техпроцессов смоделировать прибор в 1D и 3D вариан Опции

[Sergey_VV]

Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса.
Задача по моделированию.
Материал - кремний.
Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор.
По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах.
Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером).
Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся.