реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V   1 2 >  
Reply to this topicStart new topic
quarz
сообщение Jan 26 2016, 11:41
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора.

Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.

Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 11:57
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



Цитата(quarz @ Jan 26 2016, 14:41) *
Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
если под плавным включением подразумевается медленное нарастание напряжения питания, то так делать вредно

мегаом на затворе - норм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:03
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(1113 @ Jan 26 2016, 14:57) *
если под плавным включением подразумевается медленное нарастание напряжения питания, то так делать вредно


Почему?
Время нарастания меньше 1мс, емкости (а их там 100 мкФ LowESR) будут заряжаться через Rdson без дикого сквозняка и просадок напряжения.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:06
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



1мс - это не медленно.
а медленно плохо, потому что не все модемы нормально в таких условиях включаются

я правильно понял, что вы используете ключ только для этого?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:19
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(1113 @ Jan 26 2016, 15:06) *
1мс - это не медленно.
а медленно плохо, потому что не все модемы нормально в таких условиях включаются

я правильно понял, что вы используете ключ только для этого?


Ключ для обесточивания, т.к. в режиме Sleep модуль жрет 150 мкА.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:23
Сообщение #6


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



тогда чем вы обеспечиваете скорость нарастания? цепочкой R2-C1?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:29
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



да, С1 заряжается через R2. Меня правда смущает что при плавном нарастании напряжении на затворе открываться он будет все равно шустро
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:47
Сообщение #8


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



более того этот узел не поддаётся адекватному расчёту
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 16:04
Сообщение #9


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Ну почему же не поддается? У транзистора известно Vgsth - напряжение затвора, когда он начинает открываться и крутизна тоже известна
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 16:05
Сообщение #10


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



и какое же Vgsth конкретно у вашего транзистора, и у 100 других?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 18:02
Сообщение #11


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



для PMPB15XP от -0.47 до -0.9 и судя по графикам из даташита уменьшается с ростом температуры 3мВ\градус.
1113, если вы так лихо критикуете - то и предложите как улучшить, если знаете как
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Ga_ry
сообщение Jan 26 2016, 19:33
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 494
Регистрация: 23-06-09
Из: Полтава, UA
Пользователь №: 50 579



Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.
Используйте биполярный транзистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Jan 26 2016, 20:00
Сообщение #13


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



Берем пц-спайc, микрокап и там все эмулируется без проблем. R1, R3 в один мегом делают более чувствительные затворы к помехам.
Кроме проверки схемы еще проверить разводку цепей и земель оч желательно. Q1 как IRLML6402 ( к тому же HEXFET он ) может получше и подешевле будет, и в затвор ему биполярник.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ШСА
сообщение Jan 26 2016, 20:06
Сообщение #14


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 291
Регистрация: 11-04-14
Из: Саратов
Пользователь №: 81 335



Цитата(Ga_ry @ Jan 26 2016, 22:33) *
Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.

А нельзя ли поподробней?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Guest_TSerg_*
сообщение Jan 26 2016, 20:34
Сообщение #15





Guests






Цитата(ШСА @ Jan 26 2016, 23:06) *
А нельзя ли поподробней?


Эти страшилки - для больших относительных токов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 14th July 2025 - 02:09
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.02452 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016