Infineon расширила семейство
800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах
TO-220 FP Narrow Lead и
SOT-223.
Особенности
800 В MOSFET CoolMOS™ P7: лучшее соотношение
RDS(ON)*EOSS среди конкурентов; значительное улучшение динамических параметров
QG, CISS, COSS по сравнению с предыдущим поколением; пороговое напряжение затвора 3 В ±0,5 В; встроенная
ESD защита цепи затвора; широкая номенклатура корпусов и типовых сопротивлений канала.
Целевые применения:
LED драйверы; источники питания собственных нужд; зарядные устройства/адаптеры для портативной электроники; цепи высоковольтного запуска (High Voltage Start Up) источников питания.
Подробнее