реклама на сайте
подробности

 
 
> XC3S500E и MT46V32M16-(DDR400)-FG320, Питание микросхем
Panych
сообщение Aug 9 2007, 06:29
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 335
Регистрация: 17-06-04
Из: Москва
Пользователь №: 35



Вопрос в следующем:
Micron требует для DDR400 питания 2.6В (+/-0.1), к Xilinx подключена так же переферия на +3.3В.
Итого получил:
2 банка запитаны VCCO=+3.3В
и 2 банка запитаны VCCO=+2.6В и VREF=1.3В
VCCAUX = 2.5В
VCCINT = 1.2В

При практически полной занятости выводов у меня не получается разложить питания в 6-ти слоях, но идти на 8 слоев из-за нескольких цепей тоже не слишком хочется.
Да и напряжения +2.6В/+2.5В и +1.2В/1.3В очень близки.

Нельзя ли сократить количество питаний? Есть у кого-либо подобный опыт?

Или ссылки на какие-либо рекомендации для подобных случаев.

Заранее спасибо!


--------------------
Всегда не хватает времени, чтобы выполнить работу как надо, но на то, чтобы ее переделать, время находится. (Закон Мескимена.)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 6)
I.S.A.
сообщение Aug 9 2007, 07:11
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 95
Регистрация: 6-08-07
Из: Москва
Пользователь №: 29 583



Вообще-то память DDR использует питание +2.5В, а +2.6В нужно лишь для DDR-400МГц. Если тебе надо работать с памятью на частоте 200МГц, что весьма не просто, то можно задуматься, а если нет - то можно сммело ставить +2.5В и частоту 166МГц. Или поискать чипы с питанием +2.5В и градацией 400.

Тактовая обязательно должна быть 200МГц? Ведь прирост по частоте у памяти DDR дает очень слабый прирост по производительности, т.к. у них у всех задержки измеряются в нсек., а не в периодах тактовой частоты. Тем более если ты не собираешься использовать пакетный режим записи и чтения, а использовать случайный доступ.


--------------------
Зачем все делать просто, когда все можно усложнить?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Panych
сообщение Aug 9 2007, 07:19
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 335
Регистрация: 17-06-04
Из: Москва
Пользователь №: 35



Да, по задумке частота именно 400МГц, данные льются с АЦП и при меньшей скорости просто не успеют запомниться.
Я слабо владею дальнейшей технологией работы с ПЛИС, но насколько я понимаю, будет использоваться именно пакетный режим.

Про меньшие скорости и связанные с этим упрощения я уже раскопал, но не проходит, по крайней мере по прикидкам. После опытного образца все вообще может измениться.

Другие чипы... конечно, поискать можно, но плата разведена на 95%, осталось только питание ПЛИС, и тут я в своих прикидках дал маху, думал разложится в 6-ти слоях, откуда и появилась эта тема...


--------------------
Всегда не хватает времени, чтобы выполнить работу как надо, но на то, чтобы ее переделать, время находится. (Закон Мескимена.)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
I.S.A.
сообщение Aug 9 2007, 07:37
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 95
Регистрация: 6-08-07
Из: Москва
Пользователь №: 29 583



Я сам не проверял, но меня уверяют, что память DDR на +2.5 и 400 работает без проблем. Мужики проверяли, правла не с FPGA, а с интеловскими чипсетами.
Единственное что, так это никто не дает гарантии, что она будет правильно работать в индустриальном диапазоне температур.


--------------------
Зачем все делать просто, когда все можно усложнить?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Panych
сообщение Aug 9 2007, 07:41
Сообщение #5


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 335
Регистрация: 17-06-04
Из: Москва
Пользователь №: 35



неплохо было бы...
о индустриальном диапазоне речь совсем не идет, буду иметь в виду...


--------------------
Всегда не хватает времени, чтобы выполнить работу как надо, но на то, чтобы ее переделать, время находится. (Закон Мескимена.)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
I.S.A.
сообщение Aug 9 2007, 07:43
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 95
Регистрация: 6-08-07
Из: Москва
Пользователь №: 29 583



Да, совсем забыл.
У Micron в спецификации написано:

• VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V
• VDD = +2.6V ±0.1V, VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)

Если источник напряжения правильный, то в спецификацию укладываешься в любом случае!
А буржуи как правило пишут все с запасом, что бы прикрыть свою за..у случь что!


--------------------
Зачем все делать просто, когда все можно усложнить?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Panych
сообщение Aug 9 2007, 07:51
Сообщение #7


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 335
Регистрация: 17-06-04
Из: Москва
Пользователь №: 35



да, заложен ADJ источник, напряжением можно будет играться, эти верно.


--------------------
Всегда не хватает времени, чтобы выполнить работу как надо, но на то, чтобы ее переделать, время находится. (Закон Мескимена.)
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th July 2025 - 05:30
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01333 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016