|
Fly-back. Странные осциллограммы |
|
|
|
Jan 24 2008, 10:54
|
Участник

Группа: Свой
Сообщений: 35
Регистрация: 17-08-07
Пользователь №: 29 861

|
Доброго времени суток! Имеем источник наTOP 246 в режиме 132КГц, входное ~220 выход 12V 6A, cхема стандартная. Защитный P6KE250 греется очень сильно. Транс намотан на каркасе Ш7*7, сердечник 2500НМС, зазор 1,25 первичка/вторичка/ОС 60/6/6 На ключе осциллограммы в приложенных файлах - о чем они говорят? Мне очень не нравятся высокочастотные колебания. Подскажите, откуда они появляются и как их побороть? P.S. Амплитуда первого выброса ок. 700В.
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 11:19
|
Участник

Группа: Свой
Сообщений: 35
Регистрация: 17-08-07
Пользователь №: 29 861

|
А как уменьшить индуктивность рассеяния? Выкладываю форму тока ключа (непосредственно тока, текущего через транзистор ТОПки) Извиняюсь за качество, лучшей картинки на данном осциллографе получить не удалось  Как видим, присутствуют какие-то нездоровые колебания...
Сообщение отредактировал Foureyes - Jan 24 2008, 11:20
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 11:34
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Foureyes @ Jan 24 2008, 13:54)  Доброго времени суток! Имеем источник наTOP 246 в режиме 132КГц, входное ~220 выход 12V 6A, cхема стандартная. Защитный P6KE250 греется очень сильно. Транс намотан на каркасе Ш7*7, сердечник 2500НМС, зазор 1,25 первичка/вторичка/ОС 60/6/6
На ключе осциллограммы в приложенных файлах - о чем они говорят? Мне очень не нравятся высокочастотные колебания. Подскажите, откуда они появляются и как их побороть?
P.S. Амплитуда первого выброса ок. 700В. Колебания - суть нормально, звенит контур из индуктивности рассеяния и паразитной емкости транса/ключа. Может, Вам поможет в понимании сути вот это: http://www.bludger.narod.ru/smps/Flyback-R01.pdf
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 11:55
|

Просто Che
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 567
Регистрация: 22-05-07
Из: ExUSSR
Пользователь №: 27 881

|
Цитата(Foureyes @ Jan 24 2008, 12:54)  Защитный P6KE250 греется очень сильно. ... На ключе осциллограммы в приложенных файлах - о чем они говорят? Мне очень не нравятся высокочастотные колебания. Подскажите, откуда они появляются и как их побороть? Осциллограммы в первом посте нормальные, ничего необычного там нет. Защитный трансил сильно греется, если, как вам уже сказали, велика индуктивность рассеяния транса. Энергия, запасенная в индуктивности рассеяния и выделяется на трансиле. Верхний обрезанный пичек это и есть работа трансила по гашению этой энергии. Сейчас ваша схема находится в режиме прерывистых токов, это видно по наличию шумов перед импульсом включения ТОРа. Так что запас по мощности еще есть. Увеличите нагрузку, эти шумы пропадут, да и звон уменьшится. Цитата(Foureyes @ Jan 24 2008, 13:19)  А как уменьшить индуктивность рассеяния? Про это много раз уже говорилось, например здесь
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 12:09
|
Cундук
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 478
Регистрация: 13-11-06
Из: Ростов-на-Дону
Пользователь №: 22 269

|
Цитата(Foureyes @ Jan 24 2008, 14:19)  А как уменьшить индуктивность рассеяния? Для уменьшения индуктивности рассеяния лучше всего использовать кольцо из материала с распределенным зазором типа МП100, МП60, MPP100 или MPP60, но это крайне дорого и таких сердечников в нашей стране практически не достать. Да и по частоте проблемы могут быть. Для Вашего случая лучше всего отказаться от использования нашего г-на (Ш7*7, сердечник 2500НМС), а использовать что-нибудь от EPCOS из материала N87 или их китайско-индийские аналоги. Минимальная индуктивность, на мой взгляд (поскольку вопрос спорный) может получиться, если сердечник выбирать исходя из размещения первички в один слой. Вторичная обмотка при этом, должна следовать сразу за первичкой и быть равномерно распределенной поверх нее. Естесственно, через изоляцию в виде 3-х слоев пленки ПЭТ-Э. Ну и обмотка обратной связи должна быть последней, так же через аналогичную изоляцию. Цитата(Foureyes @ Jan 24 2008, 14:19)  Выкладываю форму тока ключа (непосредственно тока, текущего через транзистор ТОПки) Извиняюсь за качество, лучшей картинки на данном осциллографе получить не удалось  Как видим, присутствуют какие-то нездоровые колебания... Это Вы намеряли, в основном, помехи на шнур осциллографа. Лучше сделайте следующее - намотайте трансформатор тока - 100 витков на каком-нибудь ферритовом кольце не очень большого размера. В кольцо пропихните провод, и этот провод включите в цепь ключа TOPSwith, между обмоткой трансформатора и стоком микросхемы, можно так же между плюсом входного конденсатора и обмоткой трансформатора. Нагрузите транс тока резистором Ом эдак 20. Снимите с него осциллограмму. P.S. Если есть возможность, лучше отказаться от TOPSwitch из-за ее большой рабочей частоты. На мой взгляд, лучше использовать VIPER100A. Там частота задается снаружи. Цитата(Bludger @ Jan 24 2008, 14:34)  Колебания - суть нормально, звенит контур из индуктивности рассеяния и паразитной емкости транса/ключа. Да, звенеть должно, но не так же...
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 12:14
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата Энергия, запасенная в индуктивности рассеяния и выделяется на трансиле. Позвольте немного пострадать педантизмом  Рассеивание этой энергии зависит от индуктивности рассеяния (точнее, еще и от паразитной индуктивности цепей вторички, иногда это может оказаться существенным), но греет демпфер энергия, запасенная не в индуктивности рассеяния, а в индуктивности НАМАГНИЧИВАНИЯ. Если в двух словах - индуктивность рассеяния не дает току намагничивания мгновенно переключиться на вторичку, должно пройти некоторое время, пока ток в индуктивности рассеяния вторички не достигнет номинала, и в течении этого времени току намагничивания некуда деваться кроме как в демпфер...
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 12:43
|
Знающий
   
Группа: Участник
Сообщений: 674
Регистрация: 26-08-05
Пользователь №: 7 997

|
Из этого феррита больше не выжмешь. Рассеяние большое из-за большого зазора. Индукция 0.25 - тоже лучше уменьшить. Вывод - поднимать частоту и брать хороший феррит. Первичку - в один слой, вторички - в другой слой. Вторички мотать триплексом (типа TEX-E http://www.furukawa.co.jp/makisen/eng/product/index.htm , микросхему можно взять PKS606 - PKS607. Если Viperы стали лучше за последние 5 лет, то можно и их
Сообщение отредактировал sup-sup - Jan 24 2008, 12:46
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 13:01
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Vokchap @ Jan 24 2008, 15:44)  Как-то уже говорили об этом, кроме рассеяния существуют ещё и динамические емкости, которые и отводят ток намагничивания в короткие интервалы на фронтах. И в TOPSwitch крутизна фронтов умышленно ограничена для возможности использования этого эффекта для типичных конструкций трансформаторов. Т.е. до полной накачки током индуктивностей рассеяния путь для тока намагничивания обеспечивается паразитными емкостями. А они, емкости то, не сильно помогают - времена несравнимы... Допустим - ток намагничивания 1А, паразитная емкость - 50пик - и зарядится эта емкость до 600В за 30нс. В то время как характерное время перезаряда индуктивности рассеяния - сотни наносекунд. Плюс к этому - чем выше напряжение на трансе в этот период, тем быстрее перезаряжается индуктивность рассеяния, т.е. заряд паразитной емкости замедляет процесс перезаряда индуктивности рассеяния. В итоге - по жизни влияние паразитной емкости в данном процессе можно вообще не учитывать, классическая формула дает очень неплохую оценку потерь в демпфере...
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 13:38
|
Cундук
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 478
Регистрация: 13-11-06
Из: Ростов-на-Дону
Пользователь №: 22 269

|
Цитата(Bludger @ Jan 24 2008, 16:01)  А они, емкости то, не сильно помогают - времена несравнимы... Допустим - ток намагничивания 1А, паразитная емкость - 50пик - и зарядится эта емкость до 600В за 30нс. В то время как характерное время перезаряда индуктивности рассеяния - сотни наносекунд. Плюс к этому - чем выше напряжение на трансе в этот период, тем быстрее перезаряжается индуктивность рассеяния, т.е. заряд паразитной емкости замедляет процесс перезаряда индуктивности рассеяния. В итоге - по жизни влияние паразитной емкости в данном процессе можно вообще не учитывать, классическая формула дает очень неплохую оценку потерь в демпфере... Присоединюсь к мнению уважаемого Bludger. Тем более, эту тему мы уже где-то здесь обсуждали. В подтверждение его высказываний - диаграммки. [attachment=17367:attachment] Здесь зеленое - ток ключа, красное - ток диода, синее - ток через демпферный диод, желтое - напряжение на ключе. Схема тут.
Сообщение отредактировал Прохожий - Jan 24 2008, 13:39
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 14:02
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Vokchap @ Jan 24 2008, 16:46)  50пик - наверное вы имели ввиду со вторичной стороны? В принципе, если поставить цель, можно и с первичной, накладывая гору изоляции между всем чем можно, но всё во благо большому рассеянию. Так зачем увеличивать то, что мешает, и уменьшать то, что помогает (если ничему не противоречит)? И зачем стремиться "быстро" перезаряжать индуктивности рассеяния? Ведь это тоже не без последствий. Везде должна быть мера и определённый баланс, тогда и красиво всё получится ..... Почему? С первички... Это пример с 25-ваттного сетевого флая, вполне реальная величина суммарной емкости "транс плюс ключ"... А индуктивность рассеяния хочется перезаряжать как можно быстрее - ведь пока она не дает току намагничивания протекать на выход, он идет в демфер и греет его почем зря! И именно поэтому - чем выше напряжение на демпфере, тем меньше он греется - от этого напряжения как раз и зависит скорость перезаряда индуктивности рассеяния...
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 14:13
|

Профессионал
    
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835

|
Цитата(Bludger @ Jan 24 2008, 17:02)  Почему? С первички... Это пример с 25-ваттного сетевого флая, вполне реальная величина суммарной емкости "транс плюс ключ"... А индуктивность рассеяния хочется перезаряжать как можно быстрее - ведь пока она не дает току намагничивания протекать на выход, он идет в демфер и греет его почем зря! И именно поэтому - чем выше напряжение на демпфере, тем меньше он греется - от этого напряжения как раз и зависит скорость перезаряда индуктивности рассеяния... Я забыл, что транс понижающий, поэтому неверно сказал ранее в сообщении и удалил, но вы успели ответить. Но 50 пик по-моему все равно очень мало для трансформатора, вы получали такое?
|
|
|
|
|
Jan 24 2008, 14:21
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Vokchap @ Jan 24 2008, 17:13)  Я забыл, что транс понижающий, поэтому неверно сказал ранее в сообщении и удалил, но вы успели ответить. Но 50 пик по-моему все равно очень мало для трансформатора, вы получали такое? Наверное, все таки чуть поболе, когда для статьи промерял, получилось 110пик суммарной емкости IRFRC20 плюс транс. Если первичка в один слой, то емкость невелика. Раздувать ее тоже очень не хочется - нафига лишние потери на ее перезаряд то..
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|