Добрый день! У меня возникла следующая проблема. Необходимо подобрать значение spice-параметров BSIM4 модели на основание результатов моделирования в иной программе расчета характеристик прибора (ATLAS от Silvaco). Для начала выбрал всего 2 характеристики: Id(Vg) и Id(Vd)|Vg=const. Конструктивно-технологические параметры (TOX, NSUB, XJ, LD) взял из программы в которой получаю “экспериментальные” характеристики. Проблема заключается в том, при настройке модели (зависимость Id(Vd)|Vg=const) область пробоя, следующая за областью насыщения наступает значительно раньше, чем в “экспериментальной” характеристике при том, что Id(Vg) совпадают. Область пробоя начинается ~ с 2,5 V. Какие параметры трогать? Как сделать, чтобы в моделируемом диапозоне пробой не наступал, не изменяя конструктивно-технологические параметры? Заранее благодарен.
Моделирую в ngspice
*.cir: MOS OUTPUT CHARACTERISTICS
VCC 1 0 DC 1V VG 2 0 DC 0.5V VB 3 0 0.01V VD 4 0 0.01V
* D G S B M1 4 2 1 3 atlas L=1U W=0.4U *L=1U W=0.4U
.include spicelib.slb
.DC VCC 0 5 .1 .PRINT DC I(VCC) .END
spicelib.slb: .model atlas NMOS LEVEL = 14 TOX=9.50934e-09 XJ=1.77573e-07 NSUB=9.12281e+16 LD=8.00318e-08 +VTH0=0.39132 K1=9.33608e-05 K2=7.26945e-06 K3B=249.993
|