Компания Infineon Technologies представляет новую серию транзисторов CoolMOS™, основанных на принципе суперперехода (Superjunction), CE с рабочим напряжением 500В.
Отличная альтернатива стандартным MOSFET транзисторам при создании источников питания для приложений, требовательных к стоимости, таких как бытовая техника, приставки для персональных компьютеров и импульсные источники питания для освещения.
Новые транзисторы сочетают в себе все преимущества современных MOSFET, основанных на принципе суперперехода: *Высокое качество и надежность технологии CoolMOS™ *Низкое сопротивление во включенном состоянии (R DS(on)) *Низкие потери при коммутации *Низкая накопленная энергия в выходной емкости *Высокая надежность встроенного диода *Низкий заряд затвора
Доступность Доступны образцы с сопротивлением R DS(on) 280мОм и 500мОм в корпусе TO-220. В мае 2012 будут доступны образцы с сопротивлением R DS(on) 280мОм, 500мОм и 950мОм в корпусах DPAK и TO-220 FullPAK. Начало серийного производства – май 2012.
Подобрать дискретный MOSFET транзистор можно на сайте: efo-power.ru/products/?l3=23
|