извиняюсь если вопрос глупый, я не в теме. нужно прикрутить мк к рентгену, соотвественно имеем FLASH и SRAM. работа постоянная круглосуточная под изулчением энергией до 50кэВ, но интенсивность оценить не могу даже приблизительно - устройство сбоку от излучателя и померить там возможности нет. примерно в тех же условиях, только позади излучателя (соответсвенно интенсивность облучения гораздо ниже) ОУ, диоды и биполярные транзисторы прекрасно себя чувствуют.
единственное, что встречал упоминание, что пороговая энергия которая влияет на электронику начинается от 250кэВ. так ли это?
|