Собираюсь для мостовой схемы применить сдвоенные MOSFETы в корпусе SO-8, посколько они получаются дешевле.
При изучении характеристик возник вопрос, на который я пока не нашел ответа на сайтах производителей:
если схематически MOSFETы показаны изолированными друг от друга, то
там два кристалла в корпусе или две структуры на одном кристалле?Никаких параметров, которые бы определяли напряжение изоляции между полевиками или допустимое напряжение на разных полевиках, нет ни в одном даташите.
В парочке даташитов от IR (IRF7313) увидел фразу:
Цитата
The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.
В других даташитах и у других производителей об этом вообще ни слова