Доброго дня.
Вопрос специфический. До меня, несколько дней не доходит, как учитывается влияние объёмного сопротивления::
Uвнеш.д=Uвнутр.д+Iд*Rд (Формула взята из Полупроводниковая схемотехника - Титце, Шенк) Где Iд=f(Uд) - ВАХ диода Rд - нам известно
Т.е. по моей логики, симуляций для одной точки, должна состоят из двух действий: 1) Находим Uвнутр.д Uвнутр.д = Uвнеш.д - Iд(Uвнеш.д)*Rд 2) Находим Iд(Uвнутр.д)
По литературе описано, что нужно использовать именно Uвнyтр.д, для более точного моделирования. Так нам известно только прикладываемое напряжение, нужно использовать схему описанную выше, или я не прав?
Аналогичная ситуация для модели Гуммеля-Пуна с RC,RE,RBM,RB.
|