реклама на сайте
подробности

 
 
> FSFR2100, после выключения, верхний транзистор остается открытым
den913
сообщение Nov 22 2010, 14:08
Сообщение #1





Группа: Участник
Сообщений: 9
Регистрация: 1-02-08
Пользователь №: 34 653



Здравствуйте!
Источник питания с микросхемой FSFR2100 по типовой схеме включения.
При управлении пином CON, при выключении, верхний транзистор полумоста остается открытым и при последующем включении идет сквозной ток, выключается по защите.. Частота срабатывания очень редка.
Как с этим побороться, может кто то знает?
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  FS_FSFR2100.pdf ( 872.34 килобайт ) Кол-во скачиваний: 109
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 9)
Alikjan
сообщение Dec 15 2010, 13:57
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 23
Регистрация: 15-12-10
Пользователь №: 61 635



Тоесть когда девайс выключаете по пину CON Верхний транзистор зависает в открытом состоянии а нижний закрыт. когда запускаете включается нижний и сквозняк?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
den913
сообщение Dec 17 2010, 12:38
Сообщение #3





Группа: Участник
Сообщений: 9
Регистрация: 1-02-08
Пользователь №: 34 653



Цитата(Alikjan @ Dec 15 2010, 18:57) *
Тоесть когда девайс выключаете по пину CON Верхний транзистор зависает в открытом состоянии а нижний закрыт. когда запускаете включается нижний и сквозняк?


Да, именно так.
Выяснил также что это зависит от года выпуска микросхемы. Так ведут себя микросхемы этого года. При замене на старую прошлогоднюю работает без проблем.
Хотя фабрика по маркировке та же и FAIRCHILD говорит что не было проблем с ними.
Пока что решение это выключение мс только когда частота установлена вниз , то есть работа ниже резонанса и при закрытии нижнего транзистора напряжение точки идет вниз. То есть, оказалось что знак dV/dt играет роль в этом механизме.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alikjan
сообщение Dec 18 2010, 11:57
Сообщение #4


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 23
Регистрация: 15-12-10
Пользователь №: 61 635



Я бы проверил оригинальность микросхем, кто вам их вручил? Параллельно бустрепному конденсатору я бы поставил цепь его разряжающую, после включения верхний транзистор будет гарантированно выключен.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sysel
сообщение Dec 20 2010, 07:18
Сообщение #5


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 601
Регистрация: 3-07-07
Пользователь №: 28 852



Используем данную микросхему.
С описанной Вами проблемой не сталкивались.
После продолжительных танцев с бубном удалось-таки её завести.
В серийных изделием используем. Проблем не обнаружилось.
Правда трансформатор пришлось литцендратом мотать, иначе обмотка греется.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Thunderbird
сообщение Dec 20 2010, 07:59
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 89
Регистрация: 18-09-07
Пользователь №: 30 613



Цитата
После продолжительных танцев с бубном удалось-таки её завести.
А в чем были проблемы? Какая была выходная мощность?
Цитата
Правда трансформатор пришлось литцендратом мотать, иначе обмотка греется.
И первичку и вторичку литцем?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sysel
сообщение Dec 20 2010, 08:28
Сообщение #7


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 601
Регистрация: 3-07-07
Пользователь №: 28 852



Цитата(Thunderbird @ Dec 20 2010, 13:59) *
А в чем были проблемы? Какая была выходная мощность?
И первичку и вторичку литцем?


Проблем было две:
1) трансформатор с зазором и с требуемой индуктивностью рассевания + резонансный контур.
2) линеаризация обратной связи.

Мотали и первичку и вторичку литцем. Рабочая частота в районе 70 кГц.
Выходная мощность номинальная 120 Вт, в пике до 200 Вт.

Требовалось выходное напряжение 250В.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Thunderbird
сообщение Dec 20 2010, 09:24
Сообщение #8


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 89
Регистрация: 18-09-07
Пользователь №: 30 613



А какая была плотность тока в обмотках? И сколько было слоев в обмотках?

Сообщение отредактировал Thunderbird - Dec 20 2010, 09:25
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sysel
сообщение Dec 21 2010, 11:14
Сообщение #9


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 601
Регистрация: 3-07-07
Пользователь №: 28 852



Цитата(Thunderbird @ Dec 20 2010, 15:24) *
А какая была плотность тока в обмотках? И сколько было слоев в обмотках?

Исходили из 4 A/(mm^2)
Первичка и вторичка в 4 слоя. Отдельные секции.

2 секции и литцендрат - рекомендации производителя.

Очень важно правильно выбрать тип резонансного конденсатора.

По расчетам получили 47нФ.
Перепробовали кучу пленочников - все греются очень сильно.

Остановились на B32652A6473J который холодный как покойник.
На этот тип попали по какому-то аппноту для аналогичного преобразователя от PI.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Thunderbird
сообщение Dec 22 2010, 04:44
Сообщение #10


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 89
Регистрация: 18-09-07
Пользователь №: 30 613



Цитата
Первичка и вторичка в 4 слоя.
4 слоя - это жестко по нагреву, тут без литца не обойтись. Я хочу сделать так: первичная обмотка в один слой между половинками вторички, а резонансную индуктивность поставить отдельно. И плотность тока выставить 10-12а/мм2
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st June 2025 - 10:28
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01407 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016