|
Аналоговые ключи с малой инжекцией заряда |
|
|
3 страниц
1 2 3 >
|
 |
Ответов
(1 - 14)
|
Sep 28 2010, 05:29
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 932
Регистрация: 13-10-06
Из: Уфа
Пользователь №: 21 290

|
Цитата(Herz @ Sep 28 2010, 03:39)  Ранее мне как-то не приходилось заботиться о количественном влиянии этого параметра. Ныне, проектируя модулятор для lock-in усилителя, прикинул реальные пульсации выходного сигнала, связанные с коммутацией. Ужаснулся: это огромные значения. Для распространённых ключей на ёмкости нагрузки в 1нФ имеем типичные пульсации в пару десятков милливольт и более. Есть ли техника компенсации этого эффекта? Поделитесь мыслями, пожалуйста. Cталкивался с этой проблемой. Когда- то делал быструю СВХ. Как раз на 1 нФ. Перепробовал всякие КМОП ключи, но лучше всего получилось ключь на ПТ с П-Н переходом + схема компенсации инжекции заряда. Противофазный управляющему СВХ сигнал подается через маленькую емкость на конденсатор хранения. Я делал с подстройкой компенсации. Устройство было промышленных тиражей, до сих пор работает в реале.
--------------------
"...Дьяволу ведомо многое не потому, что он- Дьявол, а потому, что он стар..."
|
|
|
|
|
Sep 28 2010, 07:57
|
Гуру
     
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250

|
Цитата(Herz @ Sep 28 2010, 01:39)  Ранее мне как-то не приходилось заботиться о количественном влиянии этого параметра. Ныне, проектируя модулятор для lock-in усилителя, прикинул реальные пульсации выходного сигнала, связанные с коммутацией. Ужаснулся: это огромные значения. Для распространённых ключей на ёмкости нагрузки в 1нФ имеем типичные пульсации в пару десятков милливольт и более. Есть ли техника компенсации этого эффекта? Поделитесь мыслями, пожалуйста. По моеиу опыту, основные пульсации получаются из-за недостаточной скорости реакции ОУ на переключение ключа. Для уменьшения влияния можно после ключа поставить RC с небольшой постоянной времени (или C, а R - сопротивление ключа). ОУ надо брать с очень большим запасом по скорости. ADG12xx имеет вброс заряда около 0.5 pС, что на 1 нФ даст 0.5 мВ. Вообще, главное, не само это значение, а его стабильность - смещение нуля можно скоммпенсировать.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|