DDR3 DRAM: вступая на дорогу, DDR3, Virtex5, помогите определиться Опции

[Intekus]

Помогите определиться с ОЗУ для нового изделия.
Как основной вариант, рассматриваем DDR. Привлекает возможность обойтись единственным корпусом. Устраивает как по объёму - они есть до 1 ГБайт (http://www.samsung.com/global/business/sem...40&iaId=691), у того же Samsung, так и по пропускной способности - тоже обеспечивается с должным запасом. А единственный корпус => экономия ног ПЛИС. Правда, большие объёмы - только DDR3.

Но.
Раньше с DDR DRAM из коллектива никто не работал. С одной стороны, от одного опытного ПЛИС-разработчика слышал "в первый раз? Готовьтесь, что будет 3-4 переразводки и перевыпуска ПП, прежде чем заработает". С другой стороны, от коллег из дружественной организации : "С DDR2 работаем давно, проблем не возникало, всё заработало с первого раза".

Как я уже понял, первая сложность - разводка ПП (вторая - контроллер). Намного ли сложнее в этом плане DDR3, чем DDR2?

А возможно ли использовать DDR3 DRAM на пониженной частоте?
Судя по форумам для ПК - это рядовое явление. В то же время Samsung в своих даташитах (http://www.samsung.com/global/business/sem...35v_rev10-0.pdf) пишет о совместимости вниз только до DDR-1066. А у нас даже теоретический максимум DDR-800 - больше не вытянет выбранный V5 - http://www.xilinx.com/products/technology/...acing/index.htm (платформу считаем уже практически фиксированной). А, на случай кривой разводки, можно будет ещё сильнее снизить тактовую - до 333 МГц, или даже до 100 МГц (по словам алгоритмистов, можно поднапрячься и сократить требуемую пропускную способность)?
Как запасной вариант пока рассматриваем SDRAM (впрочем, и это шаг вперёд - до того была исключительно статика) - но там меньшие объёмы, потребуется много корпусов, и соответственно, ног.

Если остановиться на DDR, то какие документы в первую очередь подкинуть трассировщику? Искать рекомендации по разводке DDR3 на сайте Xilinx или где-то ещё? Видел, что SODIMM-модуль было бы развести проще - но такое решение было отброшено по соображениям компактности.
Технологически - платы будут заказыватся на стороне (у фирмы, до того без проблем нам изготовившей нам 8-слойку). С чужих слов (могу что-то попутать) - они предоставляют услуги коррекции фрагментов платы - переразведут кусок сами - для выдерживания заданных волновых сопротивлений и, возможно, каких-то ещё параметров указанных линий. Подозреваю, что это делается после изготовления и измерений некого первого тестового образца, хотя могу и ошибаться.

Второй вопрос - по температурным диапазонам. У Micron с этим было прекрасно - всё описано в дополнительных индексах. А у Samsung в некоторых доках прописано про "C" и "I" - но на e-find все найденные предложения Samsung были без индексов. Вероятно, станем уточнять у поставщиков - но если кто подскажет - благодарю.

На форуме пока бегло просмотрел http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94062&hl= , http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94403&hl= и http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94926&hl=, в ближайшее время покопаю ещё.