Помогите определиться с ОЗУ для нового изделия.
Как основной вариант, рассматриваем DDR. Привлекает возможность обойтись единственным корпусом. Устраивает как по объёму - они есть до 1 ГБайт (http://www.samsung.com/global/business/sem...40&iaId=691), у того же Samsung, так и по пропускной способности - тоже обеспечивается с должным запасом. А единственный корпус => экономия ног ПЛИС. Правда, большие объёмы - только DDR3.

Но.
Раньше с DDR DRAM из коллектива никто не работал. С одной стороны, от одного опытного ПЛИС-разработчика слышал "в первый раз? Готовьтесь, что будет 3-4 переразводки и перевыпуска ПП, прежде чем заработает". С другой стороны, от коллег из дружественной организации : "С DDR2 работаем давно, проблем не возникало, всё заработало с первого раза".

Как я уже понял, первая сложность - разводка ПП (вторая - контроллер). Намного ли сложнее в этом плане DDR3, чем DDR2?

А возможно ли использовать DDR3 DRAM на пониженной частоте?
Судя по форумам для ПК - это рядовое явление. В то же время Samsung в своих даташитах (http://www.samsung.com/global/business/sem...35v_rev10-0.pdf) пишет о совместимости вниз только до DDR-1066. А у нас даже теоретический максимум DDR-800 - больше не вытянет выбранный V5 - http://www.xilinx.com/products/technology/...acing/index.htm (платформу считаем уже практически фиксированной). А, на случай кривой разводки, можно будет ещё сильнее снизить тактовую - до 333 МГц, или даже до 100 МГц (по словам алгоритмистов, можно поднапрячься и сократить требуемую пропускную способность)?
Как запасной вариант пока рассматриваем SDRAM (впрочем, и это шаг вперёд - до того была исключительно статика) - но там меньшие объёмы, потребуется много корпусов, и соответственно, ног.

Если остановиться на DDR, то какие документы в первую очередь подкинуть трассировщику? Искать рекомендации по разводке DDR3 на сайте Xilinx или где-то ещё? Видел, что SODIMM-модуль было бы развести проще - но такое решение было отброшено по соображениям компактности.
Технологически - платы будут заказыватся на стороне (у фирмы, до того без проблем нам изготовившей нам 8-слойку). С чужих слов (могу что-то попутать) - они предоставляют услуги коррекции фрагментов платы - переразведут кусок сами - для выдерживания заданных волновых сопротивлений и, возможно, каких-то ещё параметров указанных линий. Подозреваю, что это делается после изготовления и измерений некого первого тестового образца, хотя могу и ошибаться.

Второй вопрос - по температурным диапазонам. У Micron с этим было прекрасно - всё описано в дополнительных индексах. А у Samsung в некоторых доках прописано про "C" и "I" - но на e-find все найденные предложения Samsung были без индексов. Вероятно, станем уточнять у поставщиков - но если кто подскажет - благодарю.

На форуме пока бегло просмотрел http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94062&hl= , http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94403&hl= и http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=94926&hl=, в ближайшее время покопаю ещё.

Если только "вступаете", то почему старый Virtex5, а не новый, например, Kintex7 - 1 гигабайт при 32-битной шине можно будет реализовать на одном чипе (MT41K256M32)?

а) Преемственность - чуть ли не половину кода наследуется из предыдущего проекта именно на нём.
б) Интересуют младшие модели с минимальными по площади и ногам корпусами и минимальным энергопотреблением.

У Samsung тоже есть чипы на 1 ГБайт.

С температурными диапазонами разобрались, да и задача на время потеряла актуальность, но вопрос остался: можно ли работать с DDR3 на сильно пониженных, в сравнении с номанальными, частотах?

Если у меня не склероз и ничего не путаю - то в даташите на DDR3 и еже с ними бывает указание минимальной тактовой частоты. от неё и пляшите.

У нас DDR2 заработало сразу. Плату разводил квалифицированный инженер без опыта DDR RAM - просто сделал как написано в документации и application notes. Естественно все дорожки выровнены, сопротивления выдержаны и для душевного спокойствия просимулировано в HyperLynx (как по мне - перебор).
Заработало все сразу, verification test прошло на ура и с большим запасом.

В указанном даташите в п.13.3.1 Speed Bin Table Notes в пп. 5-7 написано, что чипы DDR3-1066..-1600 поддерживают работу на более низких частотах, т.е. в том числе DDR800.
В таблицах 43-46 указан максимальный tCK = 3.3 ns, т.е. минимальная частота для DDR3-800..-1600 равна примерно 303 МГц.

Для DDR3 придётся ставить активное согласование сопротивлений с токами под 3А, соответствующими катушками и размерами на плате не менее самой DDR3.



Нижняя частота ограничивается IP ядром ПЛИС, верхняя - даташитом памяти.

У ТС это как раз наоборот - нижняя частота определяется IP (400 MHz), а нижняя частота определяется даташитом на память (300 МНz).

Тоже есть необходимость прикрутить DDR-память к устройству и тоже впервые. Решил остановитья на DDR3 и такж терзают некоторые сомнения насчет "взлететь со всей этой фигней" . Вот что, кстати пишут в FAQe не сайте Микрона про работу на скоростях менее 300 Мгц:

http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#fullPart&



А можно, плиз, подробнее про согласование сопротивлений, про катушки и пр. ?

Да, DDR3 может работать и на более низких частотах при отключении DLL. Но это не боевой режим, а скорее опция для целей тестирования, т.к. в таком режиме например не работает динамическое согласование на чипе (ODT), что плохо для целостности сигнала.



Можно начать с приатаченной доки от Микрона. Там, например, можно узнать (стр. 15), что активное согласование (с отдельным источником питания для Vtt ) сигналов адреса/комманды/управление можно не делать, если у вас 1-2 чипа DDR3 и короткие линии (< 2 дюймов).