Возвратные токи в GND-слоях, и межслойные переходы для DDR2 (DDR3). Опции

[Serhiy_UA]

Есть два сигнальных слоя с цепями для DDR2 (DDR3) и два подстилающих GND-слоя.
Какая-то цепь через переходное отверстие (ПО) поступает с одного сигнального слоя на другой. Возвратный ток для этой цепи тоже должен перейти с одного подстилающего GND-слоя на другой. Но получается, что возвратный ток пройдет через ближайшее ПО, соединяющее подстилающие GND-слои. Таким образом, для возвратного тока формируется петля, и возникает соответствующая паразитная индуктивность, и как следствие, нарушается целостность сигнала DDR2 (DDR3) со всеми возможными неприятностями.
Вопрос такой.
Получается, что надо устанавливать множество ПО для связи между собой этих подстилающих GND-слоев. Какие на этот счет существует правила (или здравая стратегия/тактика)? Каков имеется опыт, и какие есть соображения?