реклама на сайте
подробности

 
 
> Параметры моделирования в библиотеке
SII
сообщение Jan 22 2012, 15:48
Сообщение #1


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 549
Регистрация: 13-07-10
Из: Солнечногорск-7
Пользователь №: 58 414



В порядке изучения MG Expedition слепил свою центральную библиотеку и ввёл несколько компонентов, причём пока это только разъёмы. В Part Editor'е красным выделено свойство IBIS -- как понимаю, требуется обязательно задать соответствующую модель, чтобы компонент был полностью завершён (все галки автопроверок в Property Verification, кроме Design Entry и PCB, у меня сброшены). В связи с этим возникает первый вопрос: что IBIS-модель описывает для разъёма? Ведь она вроде как предназначена для Input-Output Buffer, а разъём сам по себе таковым не является... (Замечу, что в моделировании я полный дуб и пока лишь пытаюсь вникнуть в самые азы).

Второй вопрос связан с параметрами переходных отверстий. Как я увидел, можно указать индуктивность, ёмкость и задержку сигнала. Как их считать? Для индуктивности я формулу нашёл, а вот для остального... И вообще, где можно найти теорию по всем этим вопросам? Понятно, что всё это сказывается лишь на высоких частотах, но хочется изучить "для общего развития", да и пригодиться в будущем вполне может...

Сообщение отредактировал SII - Jan 22 2012, 15:51
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 01:43
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01374 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016