Привет всем.
Кто в курсе технологии IGBT - кристаллы с одной пластины и даже из одной партии пластин получаются идентичными?
Кое-кто писал, что для нормальной работы в параллель IGBT все-таки нужно подбирать. Так может быть, их просто достаточно взять из одной партии или пластины?
Я вот смотрю горелые 30N60HS - так они группировались в параллель по одной буковке на корпусе. Сталбыть, их вроде как делят на идентичные группы при выпуске?

Технология IGBT - чипов (полевик управляет биполяром) индентична технологии получения MOSFET-чипов, за исключением...разные эпитаксиальные структуры (исходные пластины).
Соответственно они параллелятся как полевики.

P.S.
Может кому-то пригодится инфа...готов к конструктивной критике

К вопросу о мощных высоковольтных быстродействующих транзисторах и микросборках на их основе.

На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них- MESH и BSIT- за последние 10 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные: MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ;
BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп≤0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы.
Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в откр. сост.) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения.
И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT - расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме, а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии: более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки(микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току. В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов. Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов.
Все, вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах выше 50МГц и в ключевых с хорошими временами переключения на любую реактивную нагрузку.
Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В,UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ- ничтожно малый вклад в потери.
SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.

Достаточно ли смотреть, разбегаются каналы от температуры или нет?

Все зависит от самого IGBT: если у него положительный температурный коэффициент напряжения насыщения - можно ставить такие впараллель без подбора, лишь бы только на общем теплостоке. Иначе придется и подбирать, и ставить выранивающие резисторы. Иначе, особенно при большом "баяне" (большом количестве параллельных IGBT) легко может развиться ситуация, когда один из них перегрузится и выйдет из строя, далее развивается в устройстве аварийный режим и один транзистор вполне может за собой утащить все остальные. Баняить IGBT можно. Но... лучше все же найти одиночный на требуемые токи либо поставить модуль. Нервы целее будут