Здравствуйте!

Подскажите, пожалуйста, насколько эффективны резисторы в базовых цепях цифровых транзисторов при борьбе с наносекундными помехами (барьеры)?
Имеет ли смысл ставить внешние резисторы в базу дополнительно к имеющимся?
Теория освещена здесь: http://caxapa.ru/lib/emc_immunity.html

Долго живу, но такой термин встречаю впервые за 36 лет работы...
Может объясните, что это такое?

https://www.google.by/search?q=digital+tran...664&bih=898

А я всегда думал, что основное назначение этих резисторов- "борьба" с базовым током .

Какая там борба это работа, так работает BJT транзистор. Ему нужен базовый резистор в цифровом режиме ( в остальных он противопоказан)

Глупости конечно. Мне первое что подумалось, это чтот по типу - Цифрового потенциометра, то есть, сопротивление задается по цифровой шине SPI или какой другой.

Я использовал нечто подобное, называлось оно BA12004, прямым подключение к микроконтроллеру и к выводам реле.
На том же чип-дипе называлось оно - прочие микросхемы.

борба у меня в кавычках. Это я к тому что о наносек. помехах там никто не думал.

Где-то тут писали, что цифровой транзистор изготовлен по технологии обычных микросхем, и поэтому имеет обратный диод с входа на эмиттер. Если импульс придёт отрицательной полярности, может быть плохо. И самому транзистору и тем что помеха пройдёт через диод в чистую землю.
Наличие этого диода можете попробовать проверить тестером. Если проводимость больше при подаче на вход минус на эмиттер плюс - то диод есть.
Поэтому, особенно если диод этот обнаружится, внешние резисторы в базу оправданы.

надо подумать.... резистор может быть пинчем а входная площадка карман- диодом и звонится на землю, как у большинства микросхем. ИМХО не стоит копатся так глубоко.

Идея защиты от наносекундных помех в том, чтобы входной резистор кратковременно, на наносекунды, выдерживал напряжение до примерно +-100 В. Такой диод на входе исключает возможность выдержать -100 В. Поэтому не годится.

Я имел ввиду использование "барьерных" защитных свойств внутренних резисторов транзистора.
Стандартный прием для ослабления наносекундных помех - в статье все описано.
Тут больше вопрос технологии изготовления этих самых транзисторов...

Вообще, про ROHM написано, что там тонкопленочные резисторы...



Вот это уже интересно
Поподробнее можно, пожалуйста?
Диод катодом на вход цифровика (всмысле на базу, но через резистор?), а анодом на эмиттер?
Эмиттер цифровика на грязной земле.



Можно поподробнее, пожалуйста?
Откуда цифра 100 В? И как все-таки стоит диод, если он там есть?

Поподробнее нет - не знаю. Нужно взять тестер и померить. Посмотрел вот даташит на нечто такое - вообще ни слова про то что будет если на вход подать обратную полярность.

Проблемы одинаковые будут и в вашем случае, если как я понимаю транзистор выдаёт сигнал наружу из контроллера, и если наборот эмиттер на чистой земле и он принимает сигнал извне, а коллектор подключён к контрллеру.

Там в статье, на которую ссылка в первом сообщении, есть графики. Там 40 В, но это для мягких условий. А если более жёсткие то где-то около 100 В будет, а может и под 200 В.

По-моему, этим транзисторам глубоко наплевать на наносекундные помехи, потому что они слишком медленные, чтобы успеть на них как-то среагировать. Соответственно, дополнительно из защищать - только деньги впустую тратить.

Если имеется в виду рисунок 10 упомянутой статьи, то защита микроконтроллера от НИП вряд ли будет эффективной. Внутренние емкости транзистора все испортят. Все-таки цифровые транзисторы были придуманы для экономии компонентов (резисторов) и места на плате.

По-моему, только для этого. Ну, и, наверное, сам транзистор разработан для переключений.


Считаю, не нужно. Микроконтроллер сам себя защитит.

А смысл при этом в цифровых транзисторах? Тогда уж можно и обычные поставить.

Если рассматривать возможность прохождения НП сквозь цифровой транзистор, с вывода коллектора на вывод базы и далее в микроконтроллер, то можно отметить следующее.

Цифровые транзисторы - они бывают разные. Как уже справедливо отметил ТС, в цифровых транзисторах ROHM используются тонкопленочные резисторы, про которые изготовитель говорит хоть и скупо, но довольно внятно - "почти не имеют паразитных характеристик". То есть, как барьеры от НП они, похоже, ничем не хуже, а может, даже лучше, чем обычные дискретные резисторы. А вот в цифровых транзисторах ON Semiconductors про резисторы сказано, что они "монолитные", т.е., очевидно, находятся на том же кристалле, что и сам транзистор, и потому могут иметь заметные паразитные свойства. По-хорошему, надо бы покопаться в SPICE-моделях и погонять эти транзисторы в симуляторах, в надежде, что модели описывают свойства транзистора более-менее адекватно. И еще хорошо бы напрямую задать вопрос тексуппорту, нехай пояснят.

Тем не менее, я испытываю больше доверия к транзисторам ROHM, по-моему с ними все вполне предсказуемо.

[А у меня сомнения. Пусть у ROHM резисторы тонкопленочные. Но вряд ли они находятся на отдельной подложке, уж слишком это не технологично, хорошо, если расположены на окисле над базой. И все равно, при малых размерах должна появиться заметная емкость между выводами базы и коллектора. Конечно, можно проверить предположения практически, проведя соответствующие испытания устройства. А дискретные резисторы лучше всегда, даже их паразитная индуктивность тут на руку.