PNP транзистор таботает в ключевом режиме. Схема на рисунке. В цепи базы обратно включён диод для защиты VT.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Если SA1 не замыкает цепь, то на базе транзистора высокий потенциал. Если ключ замкнут, то в точке А ~ 0.7 В. Как на базу подтянуть 0 В

Например, можно поставить германиевый диод, чтобы напряжение было 0.3-0.4В. Можно изменить схему включения, но нужно понимать какую задачу Вы решаете.

P.S. Днем писал на бегу. Схема показалась странной, но не обратил внимание, что неоткуда течь току базы. Транзистор всегда будет закрыт.

Изменить схему нельзя, важно именно 0 открывать транзистор.

Он не работает в ключевом режиме. В цепи базы диоды неясного назначения.
Примените стандартную схему транзисторного ключа и все будет работать.

Я понимаю, что необходимо добавить резистор БЭ. Диод обратно включённый нужен для защиты транзистора в случае, если на вход будет подана не земля (ключ замкнут), а напряжение.

Неправильная схема в принципе. Току базы некуда течь.

А R4? Нагрузка параллельно R4 подключена.

Стоит почитать букварь об основных схемах включения ОБ. ОЭ, ОК и их свойствах.
Транзистор с оборванной базой считается незапертым.
Диоды "Для защиты транзистора в случае, если на вход будет подана не земля (ключ замкнут), а напряжение." - надуманная ситуация скорее всего, от непонимания общих принципов работы схемы.

R2 перенести к базе, после R3 диод катодом наружу

Да, R2 включается база-эмиттер, диоды вообще выбросить за ненадобностью.

схема совершенно поломана. Диоды очень странно стоят. И на базе ноль совершенно не нужен, Вы в курсе, что БЭ всегда ~0.6В?

От кого вы защищаете транзистор? Если у него в цепи базы есть резистор, ему ничего не страшно.

Причем здесь резистор.
А страшно ему обратное, как правило, более 5вольт, вот ТС и собирается
таким извращенным способом защитить его.
Защищают БЭ обратным диодом.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Схему переделал. Разобрался с ключом именно на pnp транзистором. Приношу всем свои извинения за некорректную схему и вопросы, вызваные мое слабой подготовкой (всё таки во всех учебникам рассмотрен npn и сказано что pnp "необходимо поменять + и -"). Теперь возникает по новой схеме вопрос. Что будет если на базу вместо земли подтянуть питание, например +15 В.

Если 15 В подать прямо на базу, транзистор выйдет из строя. Если же на левый вывод R1, то ничего не будет. Получится делитель напряжения [15В - R1 - R2 - 3.3В]. На базе относительно эмиттера будет ~2.5В. Б-Э переход смещен в обратном направлении, напряжение не превышает допустимое => транзистор закрыт.

Транзистор - токовый прибор. Для нормальной работы в ключевом режиме ток базы должен быть грубо в 10 раз меньше, чем коллектора. Последовательный резистор резистор в цепи базы очень мал.
Все-таки, придется почитать что такое транзистор, иначе эти элементарные ошибки будут повторяться бессчетно.

Читал. Что такое h21 понимаю. Номинал Rб не считал даже, често. Вопрос то в другом, вопрос правильно ли я в целом схему понимаю ключа на pnp транзисторе. Кстати, номинал Rб в ключе на npn понятно как рассчитывать (учитывая Uбэ, требуемый ток коллектора и коэффициент h21). Но как посчитать номинал Rб на pnp? Если я правильно понял, то при пдтяжки земли к базе через резистор Rб будет уходит накопленный заряд с pn перехода, что влияет на скорость открытия транзистора. Таким обрзом чем меньше сопротивление резистора Rб, тем быстрее он откроется. Верно я понимаю или нет?

Не обращайте на заряды внимание. Это актуально на высоких частотах переключения и/или при мощных нагрузках. У Вас нет ни того ни другого.

Если на базу подать +15В транзистор закроется и на эмиттерном переходе будет обратное напряжение 15-3.3=11.7В. Дальше нужно проверять, выдержит ли Ваш транзистор такое обратное напряжение. У многих современных пробивное обратное напряжение эмиттера около 5В.

Система формального образования построена так, что Вы можете отлично понимать как устроен транзистор, но совершенно не понимать как работают схемы. Можете вызубрить С++, но не уметь написать простую прикладную программу.
Приходится самому дообразовываться, восполняя недостающее и забывая избыточное.

Вся разница между прп и рпр - заставить себя силой воображения представить, что пустое ведро наполняется водой с таким же успехом, как полное и наполняется пустотой. В принципе, без разницы куда там что течет - дырки или электроны, будем мы считать токи втекающими или вытекающими реально. Важно хотя бы правильно представлять абсолютные величины токов. Расчет ключа совершенно не зависит от типа проводимости.
h21 - ходульный параметр в попытке дать хоть какой-то сравнительный параметр при крайней нелинейности транзистора. Он приводится для одной точки, как правило, при небольших токах и напряжениях питания. Иногда честно дают кривую зависимости h21 от тока коллектора, еще реже - от коллекторного напряжения. И принимать этот параметр всерьез можно только в активной области при относительно невысоких частотах. Еще - понимать, что от экземпляра к экземпляру, от партии к партии приборов он может спокойно отличаться раза в 2-3.
В ключевом режиме, когда транзистор в области насыщения, ток базы должен быть гораздо больше, чем вычислимый через h21. Хороший тон - 10-15, а иногда и 3-5. Иначе, транзистор будет вблизи насыщения, ключ будет не полностью открыт, напряжение коллектор-эмиттер будет больше, чем хотелось бы, чем обещано в даташите, будет меняться от температуры и т.д.
Напряжение база-эмиттер - тоже весьма хлипкий, изменчивый, малополезный параметр. Вроде "стандартного огурца", напряжением 0.6 В. на самом деле оно сильно меняется от тока базы, температуры и еще чго, что нужно смотреть в некоторых подробных даташитах и учебниках. В расчете ключа его просто вычитают из напряжения управления когда рассчитывают ток базы. Но никогда не добиваются каких-то конкретных его значений, важен только ток базы.
Что до "быстрее открывается" - откроется, никуда не денется. Все хлопоты схемотехники в том, как бы быстро закрыть ключ, а не открыть. Достигается это совершенно другими приемами, не забивайте пока голову..

Найдите в сети книгу - Алан Б. Гребен
Проектирование аналоговых интегральных схем
Очень доходчиво описаны принципы именно инженерного расчета
схем без влезания в дебри "электронно-дырочных переходов".

Всем большое спасибо за участие. Товарищ Егоров всё правильно сказал про образование. Я электронную технику на 5 сдал, работы выполнял добросовестно, но ничерта не понял. Просто как обезъяна повторил что написано, по фрмулам посчитал и сдал. Так все (минимум на год старше и год младше) курсы сдавали. Буду читать Алан Б. Гребена

Первичный пробой БЭ и больше ничего, а был бы там первоначальный диод — вообще бы ничего не было, но он куда-то сгинул, поэтому Вам за это точно что-то будет, потому что:

Схема в железе не выполнена и КД не закладывалась. Нельзя изменить именно принцип - открывается лгическим "0". точно, диод )))

Если открывается логическим нулем, то откуда там 15 вольт? Должно не выше 3.3 быть вроде.

Я просто спросил что было бы, если вместо земли подать например + 15 В. Или + 20 В