Добрый день!

Какой тип конденсаторов используют для RCD-снабберов, стоящих в параллель силовым ключам?

На какой ток они должны быть рассчитаны? Максимальный ток через ключи составляет 7-8 А.

Заранее благодарю за ответ!

ток заряда конденсатора равен току через диод

а ток через диод исходя из чего рассчитывают?

в снабберы ставят конденсаторы с низким ESR, низкой индуктивностью и высокой устойчивостью к импульсным токам.
я применял конденсаторы епкос и виши апноутов много
https://www.google.ru/?gfe_rd=cr&ei=Fbm...ubber+capacitor

Как-то не задавался таким вопросом. Смотрел какие конденсаторы применяются в промышленных преобразователях и делал так же.

ток через диод рассчитывают, исходя из требуемого dU/dt
тут же считают и конденсатор, и резистор, и потери

но прибижённо можно взять 0,1 от макс. тока ключа

смотря в какую схему ключи включены, так и рассчитывают, есть же масса статей https://yandex.ru/yandsearch?&clid=2186...nubber%20design

ПС- в свое время я от RCD отказался в пользу индуктивных снабберов на насыщающемся сердечнике- в одном случае потери на RCD снабберах были большие при высоких напряжениях на ключе, во втором ставил в диоды по той же причине, в третьем случае RC снаббер не смог погасить импульс на диодах шоттки, которые были выбраны вплотную к макс. рабочему напряжению, дроссельный снаббер снизил выброс практически до 0% (!) от напряжения на диодах.

а можно поподробнее, с куском схемой и описанием дросселя? очень интересно, потому что...

обычно ставят керамику x7r, np0, но можно и плёнку типа MKP, только они большие

дроссель последовательно диоду, описание здесь http://mstator.ru/sites/default/files/pict...20part%20II.zip и на сайте http://www.toshiba.com/taec/components/Generic/N1.pdf

рассчитал согласно методике, хотя можно и чисто экспериментальным путем. в моем примере катушка на МСК-09 сердечнике Мстатора, 9 или 10 витков мне хватило, когда витков меньше чем надо, видно сразу - подавления колебаний нет.

Это к недавней дискуссии о насыщающихся дросселях с ППГ-сердечниками...

Вот спасибо! То что надо. А как и где покупали?
во вложении презентация и лист данных сердечников от Toshiba

з.ы. на маузере уже есть. одновитковые по 1$, более крупные по $5
№ Mouser: 757-AB4X2X4.5W
№ Mouser: 757-SS10X7X4.5W

да да, я до сих пор "под впечатлением".
Еще слегка оффтопик - на картинках тошибы по второй ссылке Muxa схема для управления моторами моторов - мост. Как в этом случае цепляется драйвер транзистора? пойдет ли бустрепный драйвер типа IR2111 в такую схему?

а можно ссылку, я бы почитал. если не трудно. что то я с поиском не справляюсь...
с большим сомнением я посмотрел на эту картинку. сомнения в том, что если сердечник не достигнет насыщения, то мы будем иметь в эмиттере/стоке приличную индуктивность. в результате при открывании нижнего транзистора потенциал средней точки улетит далеко ниже потенциала земли. поскольку верхний драйвер в указанной микросхеме сидит в кармане, изолированном p-n переходом, может быть бабах. если же Com ногу драйвера подключить к эмиттеру/истоку (до дросселя), то возникнет проблема с сигналами управления...
решение на картинке 8 вложения. небольшой резистор и высоковольтный быстрый диод. при этом резистор последовательно с диодом заряда бутстрап конденсатора уже не нужен, поскольку ток заряда ограничен уже резистором от средней точки. и да, возможно в качестве средней точки лучше взять эмиттер/исток верхнего транзистора (до дросселя).

вот и мне непонятно как цеплять драйвер. вероятно только вариант - отдельный изолированный драйвер на каждый транзистор или трансформаторные схемы.
ну вот как на картинке снизу подключить не пойму.

пс- при включении последовательно с нагрузкой проблем нет никаких - картинки тока и напряжения красивые, только кольцо разогревается прилично.

у меня максимальный ток через ключ 9А, т.е. 0.1 от максимального = 0.9А.
ёмкость снабберного конденсатора 330пФ, частота работы = 50кГц.

Не могу подобрать конденстор 330пФ с необходимым током.
Что посоветуете?.

а какое у вас меню?
вима, епкос или К78-2?
http://www.wima.de/EN/tpl_products_snubber_overview.htm
не занимайтесь "прикидками" - вот нормальная методика http://www.cde.com/resources/catalogs/igbtAPPguide.pdf
ваша емкость скорее всего слюдяной конденсатор.

следуя методике http://www.cde.com/resources/catalogs/igbtAPPguide.pdf, я выбрал слюдяной конденсатор от CDE (http://www.cde.com/resources/catalogs/CD-CDV16.pdf)
со следующими параметрами

C = 330pF
Vdc = 500V
Vac = 300V
Ipk = 66A
Irms (при 85 градусах по Цельсию) при частоте 100 кГц = 0.062А.

У меня частота ещё ниже, 50 кГц, т.е. ток Irms будет ещё ниже.

Вопрос по току так и остался открытым. Т.е. не понятно - подойдёт ли мне этот конденсатор или нет?

Если следовать соотношению (ток конденсатора = 0.1 макс. тока ключа), которое мне советовали в теме, то не подходит,
т.к. у меня макс. ток через ключ равен 9 А, т.е. ток конденсатора, он же Irms должен быть 0,9А.

Подскажите, пожалуйста, правильно я рассуждаю или нет?

как через такой конденсатор подать 0,9А rms?
например синусоидальное напряжение 100В, 50кГц, 330 пФ даст ток 0,01А.
импульсный ток при сопротивлении снаббера 50 Ом (сколько у вас ???) будет 100/50 = 2 А, с другой стороны импульсный ток не будет больше тока нагрузки.

ПС - у вас RCD снаббер там немного другая методика расчета но порядок цифр выходит тот же.

если драйвер не изолированный и с общим выводом GND/COM, как IR2111, то решение видимо надо брать из dt97-3. примерно так, как на картинке. но резистор должен быть много меньше резистора в цепи затвора верхнего транзистора (который не показан на рис.). ведь они будут включены последовательно.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

надо думать... не так совсем плохо.
и да, если использовать такие драйверы, как во вложении, то без проблем. но они жутко дорогие
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

без проигрышный вариант полипропилен (MKP), но они габаритные.
самому стало интересно. измерил ESR двух керамических конденсаторов от Murata. под рукой оказалось 2 маленьких диска:
DEBB33F221 (220пФ 3.15кВ) - 140 Ом на 100КГц
DEBB33A471 (470пФ 1кВ) - 80 Ом на 100КГц.
наверное можно применить и такой, только в сопротивлении снаббера учесть внутреннее сопротивление конденсатора.
чисто для сравнения Epcos MKP серия 652 10нФ на 1кВ постоянного тока ESR около 0.08..0.1 Ома.
к сожалению меньшей ёмкости MKP у меня не нашлось

да, я видимо ляпнул не то.
не задавался вопросом расчёта тока через конденсатор. Как-то больше по напряжению выбираю.

величина сопротивления снаббера равна 6,2 кОм

ну с таким сопротивление только ток заряда емкости снаббера (для RCD) может быть большой - как ток нагрузки.

А эти насыщаемые дроссели нужно обязательно подключать к истоку мосфетов как на рисунках?

Или всё же можно к стоку, разве должна быть разница? Так ведь и управлять мосфетами проще



Возможно имеется в виду эта тема http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=119007

Во первых спасибо за ссылку,- почитаю.
Как я понимаю вопрос (возможно и не правильно). Паразитная индуктивность в истоке/эмиттере неприятна именно с точки зрения управления транзистором. важен именно контур исток - земля драйвера - выход драйвера - затвор. в момент закрывания транзистора энергия паразитной индуктивности препятствует процессу закрывания, поднимая потенциал земли драйвера. особенно неприятны здесь колебания. они могут повторно и несколько раз вновь включать и выключать транзистор через землю драйвера. этот процесс может затянутся во времени и превысить дид тайм в полумостовой схеме. в результате возникнут сквозные токи, которые, как минимум увеличат потери. включение в этот контур последовательно с паразитной индуктивностью дросселя с потерями, как считают изготовители, должно сорвать колебания в цепи затвор - исток/эмиттер. сделать переходной процесс плавным и апериодичным.
если вы включите этот дроссель в цепь стока или коллектора, то вы просто сгладите нарастание или спад полезного коммутируемого тока, но не повлияете на контур управления. кроме дополнительных потерь ничего полезного не получиться.

хотя я довольно скептически отношусь к такому решению. нужна гарантия, что во всём диапазоне рабочих токов дроссель будет входит в глубокое насыщение. иначе он только ухудшит управление транзистором.
возможно написал чушь, пусть люди с большим опытом меня поправят.