Уважаемые форумчане,

имеется рассчитанный проект СВЧ усилителя на кремниевой технологии, по моделированию получаются хорошие характеристики. Настало время разрабатывать топологию микросхемы. Если с СВЧ трактом более-менее ясно (есть модели линий передачи и пассивных элементов, ну и ЭМ анализ), то с землей вопросов очень много. В частности в каком из слоев ее делать? Всего слоев много, из них два верхних - толстые, для СВЧ тракта. В модели линии передачи земля находится в слое М1 (первый металл). Не нахватаю ли я паразитных сопротивлений и индуктивностей, при заземлении СВЧ транзистора на слой М1? Как правильно организовать заземление СВЧ транзистора? Есть ли какая-нибудь литература, примеры или опыт?