Собрал "Улучшенная схема электронной нагрузки с плавной регулировкой тока" (http://electro-tehnyk.narod.ru/docs/nagruzka.htm) следуя всем рекомендациям статьи.
В виде радиатора использован кулер GlacialTech Igloo 2410 с заявленным термическим сопротивлением 0,56 °С/Вт.
Напомню, максимальное термическое сопротивление IRF3205 кристалл-корпус 0,75 °С/Вт.
Напряжение питания электронной нагрузки и кулера 11,3 В. Температура окружающей среды 27 °С.
Нагружал схему блоком питания от ноутбука (19 В, 4,7 А максимум), компьютерным блоком питания и самодельным зарядным устройством. При этом измерял температуру над корпусом транзистора,
прижав термопару через небольшой кусочек ваты к месту маркировки,и под транзистором (сделав выточку в радиаторе кулера под транзистором). Во всех опытах использовалась
термопаста АлСил-3.
Получив температуру корпуса, можем подсчитать температуру кристалла по формуле для участка термического сопротивления кристалл-корпус tj = Rѳjc * P + tс, где tc - температура корпуса
(в нашем случает температура междукорпусом и радиатором).
В опытах 1-19 использовался блок питания от ноутбука (19 В, 4,7 А максимум). Транзистор из строя не вышел.
В опытах 20, 21 и 22 (использовался компьютерный блок питания) указаны интервалы изменения напряжения, тока, мощности и максимальная температура над транзистором, полученная во время опыта.
Транзистор из строя не вышел.
В опытах 23-26 использовалось самодельное зарядное устройство - момент выхода из строя показан символом X.
По моему, по результатам тестирования можно сделать выводы:
1 фактическое термическое сопротивление IRF3205 кристалл-корпус ниже 0,75 °С/Вт
2 при меньшем напряжении можно рассеять большую мощность (P = 104 Вт при V = 12 В) без выхода транзистора из строя
3 при данном устройстве электронной нагрузки, считаю возможным рассеивание на одном IRF3205 от 50 до 110 Вт при напряжении от 32 до 5 В соответственно.(надо бы прикинуть кривую допустимого
тока нагрузки от приложенного напряжения).
