Пусть C1, C2 -- паразитные ёмкости.
Пусть mosfet закрыт. Тогда в случае выброса напряжения на стоке в результате коммутации в остальной части цепи на ёмкостном делителе C1-C2 тоже может произойти выброс, которого теоретически может оказаться достаточно, чтобы невовремя открыть транзистор.
Вопрос. Как ведут себя интегральные драйверы затворов: они заряжают-разряжают затвор по фронту-срезу сигнала управления и в остальное время "отсоединяются" от затвора, или всё же они "стараются" держать затвор всё время в соответствии с уровнем сигнала управления?

Выход драйвера скорее всего представляет мощный push-pull каскад (в документации к нему должна быть информация) и затвор транзистора будет притянут к земле через очень малое сопротивление в случае, когда транзистор закрыт и выбросы на стоке не должны вызывать сколь значительные возмущения на затворе, способные открыть транзистор.

Это можно узнать из даташита. Нет, не "отсоединяются". Но чтобы снизить выброс на затворе транзистора (особенно если он подключен к драйверу через резистор) ставят ограничивающий стабилитрон.

а вот если длина трасс от затвора и истока до драйвера велика, то их индуктивность может препятствовать удержанию затвора запертым, и он таки откроется, вопреки воле драйвера

1) Правильно ли понимаю, что интегральные драйверы затворов весьма совершенные "приборы" и потому таких низких времён переключения при таких высоких токах добиться на дискретных элементах практически не реально?
2) Существуют ли драйверы, которые закрывают mosfet отрицательным напряжением на затворе, чтобы уменьшить вероятность несвоевременного открывания?
3) Если декларируется, что драйвер-чип обеспечивает пиковые, например, 5 А, то какие требования к источнику его питания? Требуется ли, чтобы источник обеспечивал 5 А постоянного тока?

1) Для сборки драйвера затвора на россыпи нет препятствий.

2) Для выдачи абсолютно любым драйвером затвора двуполярного сигнала логично требуется лишь запитать его от двуполярного источника питания.

3) Для драйверов затвора логично требуется источник питания с нулевым внутренним сопротивлением и нулевой же последовательной индуктивностью, т.е. банальный керамический конденсатор, расположенный в нуле миллиметров от выводов корпуса. Источник же питания этого силового конденсатора уже должен быть рассчитан лишь на средний ток, потребляемый в сумме драйвером и затвором.

Тогда какие есть явные преимущества у интегрального драйвера перед построенным на дискретных компонентах кроме компактности и удобства? Подумалось, что преимущество чипа в том, что внутри него сведены к минимуму издержки связанные с паразитными емкостями и индуктивностями

По всей видимости в драйверах для формирования сигнала управления затвором используются транзисторы с малым временем рассасывания носителей, если соберете на транзисторах типа bc546, bc556 ( кт3102, кт3107) время переключения из насыщения в закрытое состояние может быть до 100 нс.

У них макс. имп. ток коллектора 200 mA, значит как я понимаю затворный резистор должен быть не меньше 100 Ом

Полевые транзисторы для ключевых схем как правило имеют гребенчатую структуру, чем больше допустимый ток стока, соответственно больше емкость затвора. Если емкость затвора около 1500-2000 пФ или меньше можно и напрямую соединять затвор с транзисторами, с интегральным драйвером возможно надо ставить резистор чтобы ограничить ток, надо смотреть документацию на драйвер.

Ну так и есть, входная емкость минимальная -единицы пФ (а драйвер на рассыпухе это тоже полевые транзисторы, входы которых скорей всего сотни пФ). Выходная индуктивность определяется только типом корпуса, но это внутри, а Вам намекали про то что снаружи

Это разные категории, их нет смысла сравнивать. К примеру, резонансных драйверов в монолитном виде нет, так что их можно только на россыпи собрать.


Во-первых, драйверы во всём мире в подавляющем большинстве делают на биполярных транзисторах, а во-вторых, правильная схема драйвера на россыпи не будет отличаться от монолитной ничем.

Кроме преимуществ - есть и недостатки. На всех выводах ограничительные диоды, собранные на транзисторах.
Говорят, при длинной трассе земли между драйвером и транзистором и отсутствии резистора в затворе - драйвер может выгореть за счёт тиристорного эффекта.

В 2008-м именно с кт3102-кт3107 на затворах сделал H-мост для ШИМ-управления 500-ваттным коллекторным двигателем (30 В) от микроконтроллера. Можно было на полном ходу под нагрузкой давать полный реверс, что было жестко для редуктора, но без последствий для моста. Без каких-либо радиаторов на ощупь не было заметного нагрева на mosfetах.
Теперь задаюсь вопросом для чего нужны пиковые 5-10 А на интегральных драйверах? Для особо ёмких затворов (может быть высоковольтных транзисторов)? Для запараллеленных транзисторов? Для высоких частот переключения?

Надо понимать так, что "правильная схема" это только та, которая у Вас (все остальные априори неправильные) ?

"Во всём мире" это Вы сильно загнули, однако.
Вот например, как делают наши любимые "пендосы"
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Конечно "гибридная" технология (КМОП+биполяр) круче, но видимо пока что заметно дороже чем голый КМОП.

Будет, тем что на россыпи не будет такой проблемы как единая подложка кристалла Ну и современные интегральные драйверы довольно сложны чтобы собирать их на россыпи, еще не известно будет ли экономически оправдано. Вон китайцы в блоки питания уже ставят полностью законченные драйверы типа TOP2xx...хотя если б было дешевле россыпью уж они бы точно на ней и сделали бы.

ЗЫ. Делал драйвер на сборке IRF9952, шикарный драйвер получился, переключения в десяток-пару десятков нс, ток до десяти Ампер в импульсе... но простой логикой им не поуправляешь, нужна дополнительная обвязка по входу.

В документации на драйвер обычно указано его типичное применение, выравнены времена включения и выключения, есть дидтайм, чтобы не было сквозного тока. Если соберете для управления одним ключом драйвер на транзисторах, которые приведены выше, время включения и выключения его будут разными (30-40 нс и 100 нс), за счет разного времени накопления и рассасывания заряда в базе. Для ШИМа с частотами около 0,5 МГц и выше это неприемлемо, а для двигателя нормально.