Здравствуйте!
Как то всю жизнь обходился комбинацией СИММИСТОР+MOC (оптосиммистор) для управления с развязкой.
Управлять MOC - всё тут просто.

Встала задача сделать управление симмистором напрямую, без гальванической развязки от 24VAC. Разобрался с режимами и т.п., собрал собственные схемы и вот часто вижу такую схему управления через ОК транзистора в цепи управляющего электрода (см рисунок)



Не пойму одного: ведь при закрытом транзисторе фактически УЭ висит в "воздухе" и как я понимаю симмистор может самопроизвольно включиться. Не нужно ли подтянуть резистором УЭ к МТ1, т.е. к L-линии на данном рисунке?
И почему где-то даже встречал пишут что якобы для симмистора в отличии от тиристора УЭ можно оставлять без шунтирующего(подтягивающего) резистора?

Симистор открывается при протекании через УЭ тока выше определенного предела - обычно, десятки мА. При закрытом транзисторе этому току неоткуда взяться.

Есть там встроенный резистор, шунтирующий УЭ, порядка 200-300Ом, можете даже цешкой померить. Для высокочувствительных возможно больше. Для цепей где сильные помехи и/или симисторов с малыми токами управления, рекомендуется добавлять внешний.

Нигде в ДШ не встречал информации о встроенном резисторе. Если в транзисторах есть встроенные диоды или резисторы, то об этом указывает производитель в документации. А то что "цешкой" измеряется, так это прямое напряжение перехода упр. электрод-силовой электрод 1.

и где видели прямое напряжение на переходе 0,05В? Нобелевка?
а если полярность поменять?
то что резистор технологический или паразитный это другой вопрос

Проверьте омметром туннельный диод. Там напряжение на переходе может быть еще меньше, но никаких резисторов внутри нет, только полупроводник. Так и в тиристорах/симисторах - все зависит от структуры кристалла и технологии.


Про технологический или паразитный резистор в тиристорах/симисторах никакой информации не встречал.

В ОУ тоже только полупроводник, а резисторы есть.
Учите матчасть. Лабунцов. Тиристоры, технический справочник, стр. 33. Нет там перехода, есть канал.
ЗЫ: тиристоры симисторы бывают разные, в большинстве структура такая. В любом случае для понимания нюансов конкретного типа есть даташиты и аппноты.

Удивился и не сразу поверил. Проверил - а ведь и с самом деле есть (резистор) ! MAC97 - есть. BT138-800E - есть. Тоже, глядя на схемы, нередко сомневался - при закрытом источнике сигнала управляющий электрод типично болтается в воздухе, как-то это неправильно. А вон оно как...

Где в ДШ указано про наличие резистора?
Может я не внимательно читал?

Я тоже ничего не встречал. Но по факту - есть. Прозванивается при десятках mV.

А если снять ВАХ этого "резистора" ?

Если открывается и прозванивается при 20 mV в обоих направлениях - это все ж резистор. Линейный или не совсем - но резистор. Ну, если кому интересно - можете самостоятельно снять ВАХ...

Каким прибором подавали десятки мВ?

А у меня "прозвонка" с напряжением на разомкнутых контактах 20 mV. Чтобы за паяльник не браться, быстренько ей и микроамперметром проверил...

Захотелось посмотреть ВАХ.
Симистор BTA225
Схема: с выхода генератора (пила 0-2В) на канал А(синий), через резистор 22 Ом, пила подается на GATE симистора. К GATE подключен канал В(красн.) Земля на вывод Т1 (М1) симистора.
Добавлены математические каналы:
ЖЕЛ. - ТОК. I=(A -B )/22
ЧЕРН. - ВН. СОПРОТИВЛЕНИЕ Rint=B/I=(B * 22)/(A - B ).
Действительно, внутри симистора между выводами А1 и G просматривается сопротивление, порядка 70 Ом.
Немного не понятно, откуда нелинейность вначале участка? Возможно не корректность моего метода?
Кстати, внутреннее сопротивление зависит от температуры, грубо говоря, возрастает на 10% при 100 гр.С. (могу ошибаться с температурой).
И еще, замерял сопротивление, этим методом, другие симисторы, так вот:
BTA06 ~80R
BTA208 ~170R
BTA140 ~150R
BTA41 ~53R
BTB08 ~500R
Кстати, измеренные значения осциллографом очень близки к измеренным сопротивлениям с помощью мультиметра.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Нелинейность вполне может быть и следствием особенностей технологии - сомневаюсь, что там именно натуральный резистивный слой, скорее что-то полупроводниковое.