Собственно весь вопрос в теме. Все восемь ног запаяны на печатные проводники из меди, но ширина их невелика (примерно такая же, как контактные площадки). Можно сделать площадку из меди под брюхом, если это помогает, но, боюсь не очень поможет, т.к. там на дне пластик... Окружающая температура до +40. Режим работы - постоянный.

А что по этому поводу говорит документация на МС? Если это Low Dropout Regulator, то такие "весчи" обычно в документации указывают.

Если сделать под брюхом и на свободном месте платы мощную площадку и приклеить на теплопроводящий клей или через термопасту?

Мощная площадка приветствуется, а приклеивать м/сх за брюхо абсолютно бесполезно - у обычных SO8 теплоотвод производится через ноги самой м/сх. Кроме того, если м/сх расчитанна на повышенный теплоотвод, то у нее в DataSheet'е обычно пишут сколько она может рассеять при ее монтаже на определенную площадку (обычно 1 кв. дюйм), и иногда пишут через какие именно ноги она будет рассеивать тепло.

добавлю что в "хороших" DataSheet'ах ещё и Substrate Layout приводят для корпусов ;-) А что хоть за МС? если не секрет :-)

Не секрет, усилитель от Моторолы MC34119. Других схем просьба не советовать, надо из этой максимум выжать. Напрямую данных о максимальной рассеиваемой мощности в даташите я не нашел (может плохо искал). В конце есть графики, (Fig 10, например) и если им верить, то можно работать до ватта с лишним... Однако я в этом сильно сомневаюсь, т.к. это просто связь мощности в нагрузке и рассеиваемой мощности. Если по какой-то причине устройство погорит, перед заказчиком оправдаться будет сложно А такого, чтобы было ясно написано, мол, максимальная рассеиваемая мощ не более стольких-то милливатт - нету. Может я не прав, наставьте на путь истинный.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Обратите внимание на раздел даташита "Power dissipation" (стр. 4):

В даташите есть раздел Power Dissipation (в котором есть ссылка и на приводимый график).

Ну я - заработался наверное

Блин! Инет глючит. Третий раз отправляю сообщение.
В даташитах, например, LM317LM и TL431ID указано, что тепловое сопротивление (кристалл-окружающая среда) корпусов SOIC-8 составляет (соответственно) 168C/Вт и (39+97)=136С/Вт. Если учесть что макс. температура кристалла у них 125С и 150С соответственно, то при 25С окр. среды они допускают перегрев 100С и 125С. Следовательно при таких условиях (25С) на SOIC-8 можно рассеивать от 0,6 до 0,74Вт.
Где-то в таком же даташите встречал упоминание, что при использовании теплоотвода в виде полигона из меди на печатной платы порядка 1 кв. дюйма (около 6,5 кв. см) расположенного непосредственно под SOIC-8 (некоторые выводы м/с естественно к нему же припаяны) тепловое сопротивление у SOIC-8 падает почти вдвое (порядка 55С/Вт). Посчитайте сами какую мощность при этом можно рассеивать.

C этой микросхемы нужно стараться получить мах. кпд, те не включать нагрузку 4 Ом при 12В питании. Я например применяю 50 или 100 Ом динамики.