Вот обнаружил такую вещь. Есть диоды одного типа (конкретный пример - BAS40) с сопутствующими суффиксами, характеризующими тип корпуса, к примеру (свои для для каждого производителя). Все они зовутся диодами Шоттки. По прямому падению напряжения они эквивалентны. По емкости при нулевом смещении - тоже. Но!!! Infineon приводит carrier life-time для своих диодов (как и положено для диодов Шоттки), остальные же дают почему-то reverse recovery time, как для обычных диодов. 5ns между прочим - не мало. И в моделях соответствующих это отражено. Далее, обратный ток у Infineon-овских диодов больше - опять же, как и положено. Для Diodes Incorporated - этот параметр в 5 раз меньше. И по крутизне вольт-фарадной характеристики - есть разница - у Infineon-а - больше раза в 2.

Вот и поди гадай - как такое может быть.

Что уважаемое сообщество скажет? Не проверять же самому каждый раз.

Да, такие вещи случаются, с того момента, как прибор под тем же названием начинают выпускать несколько изготовителей. Полагаю, при покупке лицензии изготовитель обязуется не ухудшать основные характеристики, указанные в DS. Получится лучше - на здоровье. В итоге, если прибор выпускается долго, его параметры могут значительно различаться вследствие таких улучшений. Которыми каждый изготовитель и стремится "козырнуть". Это не есть хорошо - поди попробуй докопаться до "первоисточника", на который и следовало бы опираться.

Reverse recovery time - это фактически время экстракции неосновных носителей. Если инжекция отсутствует, то переходный процесс определяется временем жизни неравновесных носителей - эта ситуация имеет место в диоде Шоттки с полупроводником n-типа. Предположить что диоды одной марки сделаны на основе разных типов полупроводников... Кстати, заметное различие C-V характеристик говорит о существенном различии строения переходного слоя.

По быстрому проверил BAS40 ппоизводства Diodes Inc. - никакого рассасывания... Вроде - чистый Шоттки.