Архитектура NAND подразумевает МЕДЛЕННЫЙ (~25мкс) произвольный доступ (в общем-то мне понятно откуда такой большой - достаточно рассмотреть схему и оценить наихудший случай).

Архитектура OneNAND - это NAND накопитель + 4 килобайта буферная память + логика преобразования интерфейса (+1 килобайт загрузочной памяти, которая может и быстрая - не знаю).
Соотвественно, кажется, что произвольный доступ должен быть никак не меньше, чем в NAND (тот же массив, ну пусть преобразования занимают несколько нс - все равно должны получить те же 25 мкс).

Ан нет. В спецификации указано 80 нс. На временных диаграммах - примерно то же.

Вопрос - как такое получпется? Хоть на пальцах поясните, принципиально.

PS. Кто-то с ней работал? Действительно, по всему массиву такое произвольное время доступа? Может они только для своего загрузочного одного килобайта написали?

PPS. Кто уже глубже знает: Зачем там 3-4 слоя поликремния используется при производстве (данные от самсунг)?

произвольный доступ, он же random read, random access, etc..., это доступ к буферу страницы, page buffer, то есть volatile read., то есть вывод буфера через у-макс и передатчик на внешний буфер, поэтому он быстрый (80нс).

доступ по адресу, он же read, address access, etc..., это декодирование адреса, зарядка шины данных, ака битлайна,зарядка словарной шины, ака вордлайна и последующая разрядка битлайна через NAND string и т.д. учитывая паразиты (мегаомы на вордлайне и битлайне и пара пикофарад на них же) как раз и есть 25 мкс.