Isomorphic
Aug 28 2008, 12:40
Удалось оценить входную емкость транзистора косвенным способом.
Alexkok и grandrey, вы действительно оба правы по поводу величины емкости, я ошибался.
Просто я еще никогда не использовал сравнительно высокочастотный транзистор (1800 МГц) на таких низких частотах на порядок меньше (160 МГц).
Эта емкость равна ориентировочно 10-20 пФ, не больше.
Оценивал так (мож пригодится кому):
1. Взял готовую плату с согласующими цепями и транзистором и посмотрел на анализаторе цепей зависимость S11 от частоты. Это зависимость была с выраженным минимумом -20 дБ на частоте 150 МГц. При включении усилителя, минимум уходил по частоте вверх на несколько МГц и становился меньшим по значению (-26 дБ). Т.е. емкость транзистора слегка менялась.
2. Выпаял из схемы транзистор и снова посмотрел зависимость S11. Минимум сдвинулся незначительно - также на несколько МГц, из чего можно предположить что емкость транзистора мала и почти не вносит вклад в зависимость S11 от частоты - она, зависимость почти такой же и осталась!
Т.е. я шунтировал 15 Омами намного большее входное сопротивление транзистора (емкость) и согласовывал 50 Ом с этими самыми 15 Ом, как правильно указал alexkok.
Пытался сделать емкостной делитель (увеличивая шунтирующий резистор в затворе для поднятия усиления), но получил вх. КСВ в очень узкой полосе и неустойчивый усилитель, возбуждающийся ниже рабочих частот. Так, что шунтирование маленьким резистором в параллель, на мой взгляд, единственное решение.
Резюме:
1. Нельзя рассчитывать входное согласование по S11, если при этом K<1.
2. Оценив приблизительно входную емкость тр-ра, шунтировать ее резистором 10..20 Ом и рассчитывать согласование от 50 Ом до сопротивления этого резистора в нужной полосе.
grandrei
Aug 28 2008, 13:35
Цитата(Isomorphic @ Aug 28 2008, 13:40)

2. Оценив приблизительно входную емкость тр-ра, шунтировать ее резистором 10..20 Ом и рассчитывать согласование от 50 Ом до сопротивления этого резистора в нужной полосе.
Нужно согласовывать не только к параллельному резистору в 15 Ом (возможно, при корректном согласовании его величину можно и увеличить для увеличения стабильного ГП), а также учесть и емкость, поскольку 20 пФ дает на 160 МГц около 50 Ом реактивных, и сопротивление затвора. Обычно для компенсации этой емкости и включается небольшая индуктивность порядка 20 нГ последовательно с резистором. Таким образом, надо согласовать цепь, состоящую из последовательной RC цепи (ее лучше пересчитать в параллельный эквивалент) и параллельного резистора 15 Ом.
Что касается измерений, то сначала надо откалибровать измеритель импедансов относительно конца кабеля, то есть выставить у него режимы КЗ и ХХ по диаграмме Смита соответственным закорачиванием и холостым ходом на конце кабеля. Тогда после его присоединения к транзистору получается корректное значение импеданса.
Isomorphic
Aug 29 2008, 05:04
Андрей, спасибо за развернутый ответ. Я просто имел ввиду упрощенное и приближенное согласование входа, если в наличии нет данных о импедансе транзистора.
Есть еще два вопроса, к-рые пока не нашли ответа.
1. Для предотвращения самовозбуждения, как уже упоминали, используют шунтир. (иногда и последовательный) резистор по затвору либо - специальные комбинации LC-цепочек.
Я в программе ввожу двуполюсник с S-пар. в схему, смотрю стабильность по фактору К всей схемы (в рабочей полосе и ниже). Если имеет место неустойчивость (K<1), то ликвидировать ее получается только резисторами (сразу видно в программе, что К увеличивается). Но никакими комбинациями LС-цепочек (без резисторов), фактор K увеличить не удается. В чем тут ошибка в данном подходе?
2. Можно ли как-то приблизительно оценить входной импеданс транзистора без измерений, если его в даташите нет? Ну скажем, взять описание подобного транзистора с похожей выходной мощностью, питанием, технологией изготовления и взять для расчета его указанную входную емкость? Просто часто бывает так, что транзистор еще не приобретен, а рассчитать согласование приближенно надо.
Прошу прощения, если вопросы "чайниковские".
grandrei
Aug 29 2008, 13:12
1. Cогласующие цепочки могут быть разными, как классические низкочастотные с параллельной емкостью и последовательной индуктивностью, так и высокочастотные с параллельной индуктивностью и последовательной емкостью. Соответственно, это отражается и на стабильности. Можно варьировать индуктивностями в цепях питания. Некоторые варианты показаны в главе 6, а классификация цепей согласования дана в главе 4.
2. Оценить можно для одного типа транзистора, у которых примерно одинаковые граничные частоты fТ = gm/Cgs, где gm - крутизна транзистора, а Cgs - емкость затвор-исток (обычно емкостью затвор-сток Cgd пренебрегают в силу ее малости). Поскольку для увеличения мощности используют параллельное включение кристаллов транзистора, то крутизна примерно пропорционально растет, как и емкость, хотя на больших мощностях сказывается распределенный эффект, так как кристаллы уже достаточно удалены друг от друга. То же и для постоянной времени входной цепи tg = Rgs*Cgs, где Rgs последовательное сопротивление затвора, которая примерно постоянна для всех транзисторов одного типа.
http://rapidshare.com/files/141041572/Powe...lifier.zip.html
С подобным сталкивался. Причиной оказалась утечка сток-затвор, а первопричина -нарушение технологии обращения с подобными приборами. Статика-убийственная вещь. Если денег много, то можно и пренебречь обращением с оными эффектами.
Цитата(rtv @ Sep 26 2008, 21:43)

С подобным сталкивался. Причиной оказалась утечка сток-затвор, а первопричина -нарушение технологии обращения с подобными приборами. Статика-убийственная вещь. Если денег много, то можно и пренебречь обращением с оными эффектами.
Прочел все более внимательно и удивился , я уже много лет занимаюсь ремонтом того что наваяли подобные инженеры, но даже мне, который учился на лампах, не пришло бы в голову мерять входную емкость тр-ра LCMетром. Господа, уверяю Вас что емкости как полевых так и биполярных тр-ров имеют значения от сотен до тысяч пФ, входной и выходной импедансы зависят и от технологии его изготовления и от режима работы тр-ра(помните А,АБ,С+частота применения)в этом большой проблемы и нет вовсе.Низкие импедансы по входу и выходу трансформируются, хотя и с усилиями, и как показывает моя многолетняя практика -метод итерации в подборе цепей согласования никогда не умрет, никакие программы моделирования адекватно не работают и ничто не сможет заменить ясный ум инженера, не обольщайтесь умением пользоваться MWO даже читая все в подлиннике.Учитесь понимать что происходит с усилительным элементом при наблюдении изменений тока стока или коллектора в зависимости от уровня возбуждения и выбранным режимом работы в зависимости от значений тока и Рвх, ориентируясь при этом на КПД.
Готов к полемике-возражайте.
escmar
Jan 23 2012, 12:59
А вот с таким факом столкнулся.
Транзистор тот же, NE552039A, напряжение питания 3,3В, ток стока 1А.
На вход подаётся 22-25 dBm.
Режим работы - импульсы 1 сек, раз в несколько минут, поэтому проблем с теплом нет.
Сначала подаю напряжение на сток запертого транзистора, потом 2,3В на затвор для отпирания,
и одновременно сигнал на вход.
Всё работает до тех пор. пока по какой-то причине не пропадёт напряжение стока при поданном
входном сигнале. Сопротивление затвора становится сотни Ом, и очередное тельце летит в корзину.
Так и должно быть?
И что случится, если подать сигнал на вход при наличии напряжения на стоке и нулевом смещении?
Жабисто экспериментировать.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста,
пройдите по ссылке.