Здравствуйте!
На первый взгляд дурацкий вопрос - как определить рассеиваемую на транзисторе мощность по осциллограммам? Есть транзистор с индуктивно-емкостной нагрузкой, есть цифровой осциллограф. В эмиттерную цепь транзистора включен резистор 0,1 Ом, на нем измеряем ток. Напряжение измеряем просто непосредственно на коллекторе относительно эмиттера. Видим кривые. Но как из них получить рассеиваемую на транзисторе мощность? Иногда хочется знать в цифрах, что получается от изменения схемотехники каскада. Неужто нет метода? И только по нагреву транзистора можно судить лучше стало или хуже "больному"?

Ну так перемножьте с коэффициентом 10 показания осциллограмм для каждого нужного момента времени, мощность и получится.

С получением цифрового значения мощности скорее всего будут проблемы. Но если транзистор работает в ключевом режиме, то можно оценивать изменение рассеиваемой мощности по длительности фронтов переключения и по напряжению в открытом состоянии. Чем круче фронты и чем ниже и ровнее напряжение в открытом состоянии, тем "больному" легче. На осциллограмму тока в первом приближении можно не смотреть.

Мощность на транзисторе с помощью осциллка измерить, конечно, можно. Более того, есть осциллографы, которые позволяют это делать самостоятельно в реал-тайме.
Если нет - осциллограммы нужно сохранить в виде файлов и перенести в компьютер. Дальше вспомнить, что есть мгновенная мощность: произведение тока на напряжение. Вычисляете это произведение по всему интервалу - получаете зависимость мгновенной мощности от времени. Затем выделяете из неё кусок, кратный нескольким периоду сигнала, и по нему усредняете, потом делите на длину куска в секундах - получаете оценку средней мощности, и это всё.
Для непериодического сигнала нужно в качестве интервала измерения брать возможно бОльшую длину куска. Но точность при этом не гарантируется.

ЗЫ. Если транзистор биполярный, для увеличения точности оценки, нужно учесть (вычесть) ток базы, если токосъёмный резистор стоит в эмиттере. В ключевой схеме делается в полпинка.

Это совершенно неверно. Без тока измерить мощность осциллком нельзя. Вспомните школьную физику.
Ну, а форма импульсов может меняться, в зависимости от температуры транзистора, например.

Не нравятся мне отрицательные выбросы тока через ваш транзистор. (Причем в момент открытия.) Непонятно как они могли появиться, если измерительный резистор стоит в эмиттере, наверное там есть еще какие-то цепи. Может он из-за этих выбросов греется? Нельзя ли вашу нагрузку или сам транзистор как-то зашунтировать диодами, чтобы избежать этих выбросов? (Или поставить полевик, где этот диод уже есть)

Да, действительно непонятно... Скорее всего, ёмкостная наводка на щуп осциллографа.

2 aw123
Используйте щуп с "короткой землёй", должно помочь.

Всем спасибо за участие в моей проблеме!
Но я хотел найти простой способ измерения мощности. Разбирался со своим осциллографом. Он не может сам перемножать и усреднять, но из него можно вытащить таблицу отсчетов по каждому каналу. Наверное, я могу загрузить ее в exel и там перемножить ток на напряжение в каждой точке периода и сложить?
Но как учитывать этот отрицательный выброс? Неужели на резисторе 0,1 Ом в эмиттерной цепи может быть такая "ёмкостная наводка на щуп осциллографа"? Добротность маловата по-моему для этого.
Кусок схемы прилагаю. Измерительный резистор стоит именно в эмиттерной цепи Q1 (нога транзистора в воздухе и от нее до контактной площадки на плате идет резистор).

А мне казалось, что вы хотите выяснить, почему греются транзисторы.

Подозреваю, что напряжение меряется не на самом измерительном резисторе, а между землей и эмиттером - тогда понятно возникновение отрицательного выброса. А греется он от тока, протекающего по цепи R6->D12->база Q1->коллектор Q1

Мне действительно интересно ПОСЧИТАТЬ МОЩНОСТЬ! Чтобы в цифрах была. А что сделать, чтобы не грелся транзистор, мне сейчас не важно. Неужели только мне обидно, что имея современную аппаратуру, мы не можем получить простейшую цифру?



Подозрение неправильное. Где вы вообще видите землю на моей схеме? Просто на куске схемы измерительный резистор не изображен. А отрицательный выброс может быть из-за индуктивностей L5 - L6. Это здоровенные дроссели. И эти транзисторы хорошо переносят обратный ток.

Было бы интересно посмотреть напряжение база-эмиттер, а заодно и на вторичной обмотке управляющего трансформатора, может все сразу и прояснится.