Цитата(Alexashka @ Feb 18 2009, 10:58)

Как обычную SMD микросхему -площадки открытые от маски и никаких гвоздей. Вполне думаю грамотный способ

Да разводить надо, как SMD, только лучше заранее подумать, как выпаивать

Хочу поделиться еще мыслями, возникшими после выгорания выходных транзисторов на двух платах, если чего недопонял, то просьба поправить.
Решили измерить выходную мощность приборчиком АМ-8001 (точность 10%), он измеряет поглощенную мощность своей 50-омной нагрузкой, т.е. отражения, затухания его не интересуют и вот, что из этого вышло:
1. Выходная мощность мало зависит от управляющего напряжения из RFM12B, но с другой стороны в описании и не обещано регулирование мощности ниже 500 мВт.
2. Выходная мощность значительно превышает заявленные 500 мВт, прибор зашкаливает выше 500 мВт поэтому мощность измеряли увеличивая напряжение питания транзистора от 2 до 8 вольт.
Вот результаты для матлаба:
VCC_PA = [2, 2.5, 3, 3.5, 4, 5, 6, 7, 7.7]; % V
Po = [0.8, 3.4, 18, 48, 84, 170, 280, 400, 480]; % mW
figure;
plot(VCC_PA, Po, 'x-');
% Зависимость мощности от "Relative Output Power [dB]" RFM12B питание 5В
Prfm12b = [ 0, -3, -6, -9, -12, -15, -18, -21]; % dB
Po = [176, 172, 170, 168, 162, 162, 162, 0]; % mW
figure;
plot(Prfm12b, Po, 'x-');
Следовательно при 12 вольтах мощность должна быть в районе 1.2 Вт.
Транзистор, как показало раследование NPN - включен эммитерным повторителем (коллектор на VCC-PA).
Может китайцы меряли с одним транзистором, а потом поставили получше?