Здравствуйте уважаемые форумчане! Я занимаюсь расчетом диода Шоттки. При расчете возникло несколько вопросов...

Даные: Iпр = 10 мА, Uпр = 0,5 В;
Iобр = 5 мкА, Uобр = 6 В;

Диффиренциальное сопротивление:
Rдиф = 3 Ом при Iпр = 5 мА

Емкость диода C < 1 пФ при U = 0 В.

Диод работает при температуре 30 градусов.

1) Рассчитать и построить ВАХ.

Расчитывать следует по диффузионной теории. Выражение имеет вид: Iпр = Js*(exp(e*Uпр/k*T)-1)
где I - результирующий ток для ВАХ, Js - ток насыщения, к - коэффициент Больцмана, Т - температура Т = 273+30 = 300 К ( грубо говоря )

Js = A*T^2*exp(-Фб/k*T)*S

где: А = 140, Фб = Фм - Фпп, Фм - работа выхода из металла, Фпп - работа выхода из полупроводника.
S - площадь контакта между металлом и полупроводником.

ВОПРОС: Подставляю значения прямого напряжения и тока в формулу и нахожу значение Js = Iпр/(exp(e*Uпр/k*T)-1).
Но это значение тока насыщения подходит к вычислению прямого напряжения и тока, но
не подходит для вычисления обратного смещения параметров Iобр и Uобр.

Вот я и не могу сообразить. У меня получаюется Iобр в 1000 раз меньше, чем значение в исходных данных Iобр = 5 мкА. Как вообще получить нужный кусок ВАХ при обратном напряжении. Ведь при обратном токе Iобр в нА, как у меня и получилось в расчетах, у диода есть шансы накрыться.